| 講演名 | 1995/9/29 移動体通信用低3次変調歪DFBレーザ 鬼頭 雅弘, 大塚 信之, 佐藤 久直, 竹中 直樹, 石野 正人, 松井 康, |
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| 抄録(和) | 移動体通信の分野において高周波域(～1GHz)で低3次相互変調歪(IM_3)特性を有する1.3μm帯DFBレーザの開発が期待されている。今回、高周波帯におけるIM_3の低減のためには高f_r化が有効であることを示し、歪MQW活性層構造の最適化及び短共振器化により0.95GHz及び1.5GHzにおいてIM_3≦-80dBcを低注入電流(I_b-I_ | =20mA)で実現し、更にはPHSで用いられる1.9GHzにおいてもIM_3≦-85dBcを実現した。また、DFBレーザにおける変調歪について動的軸方向ホールバーニング現象を取り入れた新しい計算モデルを提案し、変調歪のキャンセリング現象を見い出し、実験との良い一致を確認した。 |
| 抄録(英) | Recently, Distributed feedback (DFB) lasers with low 3rd-order intermodulation distortion (IM_3) at high frequency range (～1GHz) are required for mobile communication. In this work, we have confirmed mat DFB lasers with the optimized strained-layer MQW active structure show extremely low IM_3 characteristics due to the enhanced f_r characteristics. It is demonstrated that IM_3 < -80dBc at 0.95 and 1.5 GHz under low bias current (I_b- I_ | = 20mA) and IM_3 < -85dBc at 1.9 GHz. Furthermore, we have proposed new theoretical model of distortion in DFB lasers including dynamic spatial hole burning effect. Using this model, we have shown cancellation in distortion and well explained experimental results. |
| キーワード(和) | 移動体通信 / 3次相互変調歪 / DFBレーザ / 歪MQW / 軸方向ホールバーニング | |
| キーワード(英) | mobile communication / 3rd-order intermodulation distortion / DFB laser / strained-layer MQW / spatial hole burning | |
| 資料番号 | OCS95-62,OPE95-78,LQE95-72 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 1995/9/29(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 移動体通信用低3次変調歪DFBレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DFB lasers with low 3rd-order intermodulation distortion for mobile communication |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 移動体通信 / mobile communication |
| キーワード(2)（和/英） | 3次相互変調歪 / 3rd-order intermodulation distortion |
| キーワード(3)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(4)（和/英） | 歪MQW / strained-layer MQW |
| キーワード(5)（和/英） | 軸方向ホールバーニング / spatial hole burning |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鬼頭 雅弘 / Masahiro Kito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)、半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大塚 信之 / Nobuyuki Otsuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)、半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 久直 / Hisanao Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)、半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹中 直樹 / Naoki Takenaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)、半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石野 正人 / Masato Ishino |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)、半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松井 康 / Yasushi Matsui |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)、半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/9/29 |
| 資料番号 | OCS95-62,OPE95-78,LQE95-72 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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