講演名 | 1996/10/31 GaInNAs半導体レーザーの室温連続発振 北谷 健, 中塚 慎一, 近藤 正彦, 矢澤 義昭, 岡井 誠, |
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抄録(和) | 光通信用長波長帯半導体レーザーの高温動作特性を改善できるとして期待される新材料GaInNAsを用いた半導体レーザーの室温連続発振に初めて成功した. ブロードストライプを有する利得導波型レーザーを作製し, 閾値電流密度が約1.4kA/cm^2で連続発振した. 発振波長は約1.18μmであった. 発振スペクトルには明瞭な縦モードが観測された. また, 出射ビームの垂直方向, および, 水平方向における遠視野像の半値全角は45゜および, 4.5゜であった. 特性温度は126Kと求まった. 以上により, GaInNAsを半導体レーザーへ適応することで, 高温動作特性に優れる半導体レーザーが作製可能であることが実証された. |
抄録(英) | We have demonstrated the continuous-wave operation of GaInNAs laser diodes at room temperature for the first time. The threshold current density was about 1.4kA/cm2, and the operating wavelength was about 1.18μm for a broad stripe geometry. Multiple longitudinal modes were clearly observed in the lasing spectrum. The full-angle-half-power far-field beam divergence measured perpendicular and parallel to the junction plane was 45°and 4.5°, respectively. The characteristic-temperature was found to be 126K. These results show the applicability of GaInNAs to long-wavelength laser diodes with excellent high-temperature performance. |
キーワード(和) | GaInNAs / 長波長帯半導体レーザー / 室温連続発振 / 高温度特性 |
キーワード(英) | GaInNAs / long-wavelength laser diodes / room temperature continuous-wave operation / high-temperature performance |
資料番号 | OSC96-46,OPE96-96,LQE96-97 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OCS |
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開催期間 | 1996/10/31(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | GaInNAs半導体レーザーの室温連続発振 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | CW operation of GaInNAs laser diodes at room temperature |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaInNAs / GaInNAs |
キーワード(2)(和/英) | 長波長帯半導体レーザー / long-wavelength laser diodes |
キーワード(3)(和/英) | 室温連続発振 / room temperature continuous-wave operation |
キーワード(4)(和/英) | 高温度特性 / high-temperature performance |
第 1 著者 氏名(和/英) | 北谷 健 / Takeshi Kitatani |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory; Hitachi Ltd |
第 2 著者 氏名(和/英) | 中塚 慎一 / Shin'ichi Nakatsuka |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory; Hitachi Ltd |
第 3 著者 氏名(和/英) | 近藤 正彦 / Masahiko Kondow |
第 3 著者 所属(和/英) | RWCP光日立研 RWCP Optoelectronics Hitachi Laboratory. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 矢澤 義昭 / Yoshiaki Yazawa |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory; Hitachi Ltd |
第 5 著者 氏名(和/英) | 岡井 誠 / Makoto Okai |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory; Hitachi Ltd |
発表年月日 | 1996/10/31 |
資料番号 | OSC96-46,OPE96-96,LQE96-97 |
巻番号(vol) | vol.96 |
号番号(no) | 334 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |