| 講演名 | 1997/11/4 超高速光通信に求められる電子デバイス技術 佐野 栄一, |
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| 抄録(和) | 現在、10Gbit/s光伝送用ICの実用化が終了し、40Gbit/sを目指して高速デバイス・回路の研究が活発に行われている。電気時分割多重(ETDM)は、光時分割多重(OTDM)、波長多重(WDM)の前段の多重化技術となるものであり、この先ETDMでどこまで可能なのかを把握することは将来の伝送システムを議論する上で重要である。本稿ではETDMシステムに使用される高速・広帯域ICの性能と電子デバイスの性能の関係を明確化し、将来のIC性能を予測するとともに性能向上を阻害する課題について考察する。 |
| 抄録(英) | Perspectives on electron device technologies are very important for future communication-system discussions. This paper clarifies the relationship between electron device figure-of-merit and the performance of high-speed digital and analog IC's used in lightwave communication systems. Using this relationship, we estimate future IC performance and comment on future problems in the very-high-speed region. |
| キーワード(和) | 光通信システム / アナログIC / ディジタルIC / GaAs / InP / HFET / HBT |
| キーワード(英) | Lightwave communication / Analog IC / Digital IC / GaAs / InP / HFET / HBT |
| 資料番号 | OCS97-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 1997/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速光通信に求められる電子デバイス技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Device Technologies for High-Speed Lightwave Communication Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光通信システム / Lightwave communication |
| キーワード(2)（和/英） | アナログIC / Analog IC |
| キーワード(3)（和/英） | ディジタルIC / Digital IC |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(6)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(7)（和/英） | HBT / HBT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐野 栄一 / Eiichi Sano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT光ネットワークシステム研究所 NTT Optical Network Systems Laboratories |
| 発表年月日 | 1997/11/4 |
| 資料番号 | OCS97-41 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 357 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |