| 講演名 | 2002/9/13 導電性高分子/金属界面によるショットキーダイオードの電位分布 : ナノマニピュレータによる電位プロファイル 中川 昌洋, 金藤 敬一, 高嶋 授, |
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| 抄録(和) | 導電性高分子、ポリヘキシルチオフェン(PHT)を用いてAl/PHT/Au構造のシヲットキーダイオードにおける電極間の電位分布を、数ナノメートルの分解能を有するナノマニピュレータによってマッピングを行い、AレPHT界面で大きな抵抗となっている空乏層が存在することを直接観測した。この素子に光を照射したときの電位の変化も確認することができた。 |
| 抄録(英) | Potential distribution of Schottky junction of the structure Al/Poly(3-hexylthiophene)/Au was measured directly using nano manipulator with control accuracy of several nm with two probe tips. It has been found that the large potential drop due to the depletion layer with high resistance was formed at the Al/Poly(3-hexylthiophene).It is confirmed that potentials at depletion layer is changed when the sample is lit up by LED light. |
| キーワード(和) | ナノマニピュレータ / ショットキーダイオード / 導電性高分子 / 電位分布 / ナノ界面 |
| キーワード(英) | Micromanipulator / Schottky Diode / Conducting Polymers / Potential Distribution / Nanometric Interface |
| 資料番号 | ED2002-208 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/9/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 導電性高分子/金属界面によるショットキーダイオードの電位分布 : ナノマニピュレータによる電位プロファイル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Potential profile of schottky diode maked by conductingpolymer/metals : Potential profile measured using nano manipulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノマニピュレータ / Micromanipulator |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky Diode |
| キーワード(3)（和/英） | 導電性高分子 / Conducting Polymers |
| キーワード(4)（和/英） | 電位分布 / Potential Distribution |
| キーワード(5)（和/英） | ナノ界面 / Nanometric Interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 昌洋 / Masahiro NAKAGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学大学院生命体工学研究科 Graduate School of Life Science and Systems Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金藤 敬一 / Keiichi KANETO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学大学院生命体工学研究科 Graduate School of Life Science and Systems Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高嶋 授 / Wataru TAKASHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学大学院生命体工学研究科 Graduate School of Life Science and Systems Engineering |
| 発表年月日 | 2002/9/13 |
| 資料番号 | ED2002-208 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |