| 講演名 | 2002/9/13 ポリジメチルシラン薄膜の構造と物性 大多 英隆, 古川 昌司, |
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| 抄録(和) | 溶媒に不溶性であるポリジメチルシラン粉末を真空蒸着法により薄膜化した。これまで膜の堆積速度や基板温度を変えると、膜の配向性が変化することが報告されている。しかし配向性に大きく影響している因子は膜の堆積速度なのか、基板温度なのかは定かではなかった。今回その影響の違いを検討した。また、その検討過程の中で比較的膜の堆積速度が速い場合に、基板温度を変化させ成膜した。このとき主鎖が基板に対して水平になっていることを示す3本のX線回折ピークの比が、基板温度と相関を持って変化していることが確認出来た。 |
| 抄録(英) | Poly(di-methyl silane) has not organic solvent at room temperature. Therefore, poly(di-methyl silane) thin films have been prepared by vacuum evaporation technique. Thin films are obtained as a function of substrate temperature as well as vacuum pressure during the deposition. X-ray diffraction patterns and optical absorption spectra of these films are obtained, and the effects of these parameters on the orientation of the films are discussed on the bases of the obtained data. |
| キーワード(和) | ポリシラン / ポリジメチルシラン / 真空蒸着法 / 配向性 / X線回折 |
| キーワード(英) | Polysilane / Poly(di-methyl silane) / Vacuum Evaporation Method / Orientation / X-ray Diffraction |
| 資料番号 | ED2002-203 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/9/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポリジメチルシラン薄膜の構造と物性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structure and Physical Properties of Poly(di-methyl silane) Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリシラン / Polysilane |
| キーワード(2)（和/英） | ポリジメチルシラン / Poly(di-methyl silane) |
| キーワード(3)（和/英） | 真空蒸着法 / Vacuum Evaporation Method |
| キーワード(4)（和/英） | 配向性 / Orientation |
| キーワード(5)（和/英） | X線回折 / X-ray Diffraction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大多 英隆 / Hidetaka OHTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学情報工学部:CREST 科学技術振興事業団 Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology:CREST Japan Science and Technology Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古川 昌司 / Shoji FURUKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学情報工学部:CREST 科学技術振興事業団 Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology:CREST Japan Science and Technology Corporation |
| 発表年月日 | 2002/9/13 |
| 資料番号 | ED2002-203 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |