| 講演名 | 2002/6/7 GaN及びGaInN中の貫通転位(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 宮嶋 孝夫, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 朝妻 庸紀, 小林 俊雅, 池田 昌夫, |
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| 抄録(和) | GaN系半導体中に存在する貫通転位を3種類の線欠陥-刃状,混合,らせん転位-に分類し,光学的特性及び結晶成長に与える影響を考察.全欠陥の10%程度しか占有しない混合及びらせん転位がGaN中の強い非発光中心として働いていることを報告したが,刃状転位も非発光中心として働くことをCathodoluminescence測定により実証.レーザデバイスの特性改善に対しては,Epitaxial Lateral Overgrowth(ELO)法を使った貫通転位密度の低減が必要不可欠であるが,欠陥が増殖し難い特性をGaN系半導体が有している可能性があり,この特性がレーザデバイスの長寿命化に大きな役割を果たしていると考えられる.また,過飽和度の高い結晶成長を余儀なくされるGaInN層では,貫通転位を起源とした激しいスパイラル成長が起きており,In組成変調の一因となる可能性がある.ELO-GaN上に成長したGaInN層の低欠陥密度領域にも,スパイラル成長に起因した独特の表面構造が観察された. |
| 抄録(英) | We categorized threading dislocations in GaN, GaInN and Eptaxially Lateral Overgrown (ELO)-GaN into three types of line defects, edge, mixed and screw dislocations, and investigated the effect on the optical property and the crystal growth. It was confirmed by cathodoluminescence measurements that not only screw and mix dislocations but also edge dislocations act as non-radiative centers in GaN. A complicated structure was observed in a surface of GaInN layer grown on ELO-GaN. We believe that this surface structure formed by high supersaturation is a cause of In compositional spatial fluctuation and phase separation of GaInN alloy. |
| キーワード(和) | 貫通転位 / 刃状転位 / 混合転位 / らせん転位 / 過飽和度 / スパイラル成長 / Epitaxial Lateral Overgrowth |
| キーワード(英) | Threading Dislocation / Edge Dislocation / Mixed Dislocation / Screw Dislocation / ELO / Supersaturation |
| 資料番号 | ED2002-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN及びGaInN中の貫通転位(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Threading Dislocations in GaN and GaInN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貫通転位 / Threading Dislocation |
| キーワード(2)（和/英） | 刃状転位 / Edge Dislocation |
| キーワード(3)（和/英） | 混合転位 / Mixed Dislocation |
| キーワード(4)（和/英） | らせん転位 / Screw Dislocation |
| キーワード(5)（和/英） | 過飽和度 / ELO |
| キーワード(6)（和/英） | スパイラル成長 / Supersaturation |
| キーワード(7)（和/英） | Epitaxial Lateral Overgrowth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮嶋 孝夫 / Takao MIYAJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)TSセンター CT Development Center, CNC, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 日野 智公 / Tomonori HINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)TSセンター CT Development Center, CNC, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka TOMIYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)CNCCT開発本部 Technical Solutions Center, Sony Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 簗嶋 克典 / Katsunori YANASHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー(株)TSセンター CT Development Center, CNC, Sony Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 朝妻 庸紀 / Tsunenori ASATSUMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー(株)TSセンター CT Development Center, CNC, Sony Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小林 俊雅 / Toshimasa KOBYASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー(株)TSセンター CT Development Center, CNC, Sony Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 池田 昌夫 / Masao IKEDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株) Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | ED2002-78 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 115 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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