| 講演名 | 2002/6/7 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 岡本 晃一, 井上 謙一, 川上 養一, 藤田 茂夫, 崔 正権, 寺嶋 正秀, 辻村 歩, 木戸口 勲, |
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| 抄録(和) | 顕微過渡レンズ法を用いることにより、低転位GaNにおける光熱変換過程の時間-空間分解観測に成功した。得られた信号にはキャリア変調による凹レンズ成分と温度変調による凸レンズ成分が含まれ、その時間変化・強度を解析することによってキャリアの再結合寿命、発熱量、熱伝導度が得られた。貫通転位密度が1～2×10^9 cm^2 のSeed領域と～2×10^6 cm^2 のWing領域を持つエアブリッジ横方向選択成長(ABLEG)GaNにおいて、熱伝導度はそれほど変わらないのに対し、熱の発生量が低転位Wing領域では半分以下に低減されていることがわかった。 |
| 抄録(英) | Time and spatial resolved observation of the photothermal process for the low dislocated GaN was succeeded by using the microscopic transient lens technique. Obtained signals were constructed on the concave and convexo lens components due to the spatial modulation of carrier density and temperature, respectively. Carrier recombination lifetimes, heat generations, and thermal conductivities were obtained by analyzing the signal intensities and time profiles. In the case of air-bridged lateral epitaxial grown (ABLEG) GaN, which has seed region (threading dislocation density (TDD)=1-2X10^9 cm^2) and wing region (TDD=1-2X10^6 cm^2), we found that the thermal conductivities were not so different at each region, but the amount of the heat generation at the weed regions were much smaller than that at the seed regions. |
| キーワード(和) | 顕微過渡レンズ法 / ABLEG / GaN / 貫通転位密度 / 非輻射再結合過程 / 光熱変換過程 / 熱伝導度 |
| キーワード(英) | Microscopic Transient lens / ABLEG / GaN / Threading dislocation density / Nonradiative recombination process / photothermal process / Thermal conductivity |
| 資料番号 | ED2002-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Time and Spatial Resolved Observation of the Photothermal Processes for the Low Dislocated GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 顕微過渡レンズ法 / Microscopic Transient lens |
| キーワード(2)（和/英） | ABLEG / ABLEG |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 貫通転位密度 / Threading dislocation density |
| キーワード(5)（和/英） | 非輻射再結合過程 / Nonradiative recombination process |
| キーワード(6)（和/英） | 光熱変換過程 / photothermal process |
| キーワード(7)（和/英） | 熱伝導度 / Thermal conductivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡本 晃一 / Koichi OKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 謙一 / Kenichi INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤田 茂夫 / Shigeo FUJITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 崔 正権 / Jungkwoun CHOI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院理学研究科 Graduate School of Science, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寺嶋 正秀 / Masahide TERAZIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院理学研究科 Graduate School of Science, Kyoto University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 辻村 歩 / Ayumu TSUJIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所 Matsushita Electric Industrial, Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 木戸口 勲 / Isao KIDOGUCHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所 Matsushita Electric Industrial, Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | ED2002-76 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 115 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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