| 講演名 | 2002/6/7 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 金田 昭男, 丸月 義一, 成川 幸男, 向井 孝志, 川上 養一, 藤田 茂夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | InGaN単一量子井戸構造の発光ダイナミクスを解明するために、18Kにおいて近接場光学顕微鏡を用いた空間、波長、時間分解顕微分光測定を行った。近接場発光像において、発光強度、発光ピーク波長ともに数盲nm程度の空間揺らぎを観測した。発光強度とピーク波長の間には、発光強度の強い場所は発光ピーク波長が長い場所に対応しているという相関関係があることが分かった。時間分解近接場発光測定の結果、発光強度の弱い領域は隣接する発光強度の強い領域に比べ発光寿命が短く、生成されたキャリアは横方向へ拡散し局在準位に捕獲され発光していることが分かった。 |
| 抄録(英) | Spatial distribution of photoluminescence (PL) spectra has been assessed in an InGaN single quantum well (SQW) structure using a scanning near-field optical microscope(SNOM) under illumination-collection mode at 18K. The near-field PL images revealed the variation of both intensity and peak energy in PL spectra according to the probing location with the scale less than a few hundreds nm. Clear spatial correlation was observed PL intensity and peak wavelength, where the regions of strong PL intensity correspond to those of long wavelength. Time-resolved SNOM-PL study showed that photo-generated carriers diffuse to localized potential minima, and recombine radiatively. |
| キーワード(和) | 近接場光学顕微鏡 / 時間分解近接場発光測定 / 拡散 / 局在 |
| キーワード(英) | SNOM / time-resolved SNOM-PL / diffuse / localization |
| 資料番号 | ED2002-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence dynamics of InGaN single quantum well by time-resolve near-field spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 近接場光学顕微鏡 / SNOM |
| キーワード(2)（和/英） | 時間分解近接場発光測定 / time-resolved SNOM-PL |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散 / diffuse |
| キーワード(4)（和/英） | 局在 / localization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金田 昭男 / Akio KANETA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 丸月 義一 / Giichi MARUTSUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業株式会社 Nichia Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 成川 幸男 / Yukio NARUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業株式会社 Nichia Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 向井 孝志 / Takashi MUKAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業株式会社 Nichia Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤田 茂夫 / Shigeo FUJITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2002/6/7 |
| 資料番号 | ED2002-75 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 115 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |