| 講演名 | 2002/1/21 GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価 石原 崇章, 赤堀 誠志, 本久 順一, 福井 孝志, |
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| 抄録(和) | MOVPE成長時にGaAs(001)微傾斜基板上に形成されるGaAs多段原子ステップを利用したS-K成長自己組織InGaAsドットアレイは、プレーナー上の成長に比べ、均一なサイズのドットが得られやすいとされている。そこで我々はIn組成x及びその成長膜厚を適切に制御し、ドットサイズの均一性の向上を図った。その結果、GaAs多段原子ステップ上のIn_<0.8>Ga_<0.2>Asドットサイズ分布が多段原子ステップ上のバンチング領域の幅に強く依存することが明らかになった。ここでGaAs多段原子ステップ上のバンチング領域の幅が微傾斜角度に依存する点に着目し、微傾斜基板角度によるIn_<0.8>Ga_<0.2>ASドット形状の変化をAFM及びPLを用いて評価を行った結果、AFM及びPLともに一致した傾向が得られた。 |
| 抄録(英) | The uniform and self-aligned S-K mode InGaAs quantum dots were formed on GaAs multiatomic steps on (001) vicinal surface by MOVPE. Under optimum In content (x=O.8) and InGaAs layer thickness (3.2ML) condition highly uniform InGaAs quantum dots were obtained. The size distribution of InGaAs dots depends on GaAs multiatomic step width strongly. The misorientation angle dependence on the formation of InGaAs quantum dots on GaAs multiatomic steps were also observed by AFM and PL. The results of PL measurement agreed well with AFM results. |
| キーワード(和) | MOVPE / GaAs(001)微傾斜基板 / GaAs多段原子ステップ / S-K量子ドット |
| キーワード(英) | MOVPE / GaAs(001) vicinal substrate / GaAs multiatomic step / S-K mode quantum dot |
| 資料番号 | 2001-ED-228,2001-SDM-231 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InGaAs quantum dots formation along GaAs multiatomic steps |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs(001)微傾斜基板 / GaAs(001) vicinal substrate |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs多段原子ステップ / GaAs multiatomic step |
| キーワード(4)（和/英） | S-K量子ドット / S-K mode quantum dot |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石原 崇章 / T. Ishihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 赤堀 誠志 / M. Akabori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本久 順一 / J. Motohisa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福井 孝志 / T. Fukui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2002/1/21 |
| 資料番号 | 2001-ED-228,2001-SDM-231 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 617 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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