| 講演名 | 2002/1/10 表面バイアホールによるアイソレーション技術を用いたETC用1チップ送受信一体型MMICの開発 高木 恒洋, 山本 真司, 諏訪 敦, 反保 敏治, 北沢 貴博, 多良 勝司, 萩尾 正博, |
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| 抄録(和) | 5.8GHzの周波数を用いた高速道路における料金自動収受システム(ETC)用の、送受信一体型MMICを開発した。このMMICは、表面バイアホール(SVH)によるアイソレーション技術を用い、RF全ブロックの集積化とともに低キャリア漏洩(-43dBm)、高いon/off比(39.6dB)および低消費電流(150mA)を達成した。また、ダブルへテロ構造とSTO(SrTiO_3)キャパシタの採用により、正電源動作と小型チップサイズ(2.25x1.25mm^2)を達成した。 |
| 抄録(英) | An RF Transmitter Receiver MMIC (TX-RX MMIC) has been firstly developed for 5.8GHz Japanese Electronic Toll Collection system (ETC). The MMIC contains all RF blocks. We have developed the new Surface Via-Hole (SVH) isolation technique to integrate all RF circuits into single chip (2.25 x 1.25mm^2). By using this technique, low carrier leakage of -43dBm, high on/off ratio of 39.6dB at 5.84GHz and low total current of 150mA are achieved. The double hetero-junction FET and STO (SrTiO_3) MIM capacitors are also developed to realize a single voltage operation and small chip size. |
| キーワード(和) | GaAs / ETC / MMIC / SVH / STO / アイソレーション |
| キーワード(英) | GaAs / ETC / MMIC / SVH / STO / Isolation |
| 資料番号 | 2001-ED-197,2001-MW-152,2001-ICD-194 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/1/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面バイアホールによるアイソレーション技術を用いたETC用1チップ送受信一体型MMICの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1 chip RF Transceiver MMIC for ETC with Surface Via-Hole Isolation Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | ETC / ETC |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | SVH / SVH |
| キーワード(5)（和/英） | STO / STO |
| キーワード(6)（和/英） | アイソレーション / Isolation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 恒洋 / T. Takagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 真司 / S. Yamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 諏訪 敦 / A. Suwa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 反保 敏治 / T. Tanbo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 北沢 貴博 / T. Kitazawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 多良 勝司 / K. Tara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 萩尾 正博 / M. Hagio |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体社事業本部ディスクリート事業部 Matsushita Electric Industrial, Semiconductor Company Corporate Manufacturing & Development Division, Discrete Device Division |
| 発表年月日 | 2002/1/10 |
| 資料番号 | 2001-ED-197,2001-MW-152,2001-ICD-194 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 550 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |