| 講演名 | 2001/12/7 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射 三村 秀典, 元 光, 池田 優, 小野 修一, 新井 学, 寒河江 克巳, 横尾 邦義, |
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| 抄録(和) | マイクロ波プラズマ気相成長法による単結晶および多結晶ダイヤモンドの成長とこれらの材料からの電子放射特性について述べる。単結晶Siティップ上に堆積した単結晶ダイヤモンドからの電子放射にはかなりの高電圧の印可が必要なのに対して、多結晶ダイヤモンドからは電子放射し易いことがわかる。これらの実験結果を踏まえて、Si基板上の多結晶ダイヤモンド膜の上に金属薄膜を堆積して製作したゲート付き平面陰極からは、10V程度の低電圧で面内一様な電子放射が可能である。 |
| 抄録(英) | The paper describes the epitaxial growth of a single crystalline diamond and a polycrystalline diamond film on a silicon emitter tip or a silicon substrate by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition(MWPCVD)and their field emission characteristics. The single crystalline diamond is hardly emissive as compared with the polycrystalline diamond film and conventional emitter materials. In a gated plane cathode using a polycrystalline diamond film, an electron emission occurs uniformly over the gate area at the gate voltage as low as 10V. The experimental results suggest that electrons are emitted by the field emission of electrons after passing through conduction channels in the grain boundaries or the surfaces of the polycrystalline diamonds. |
| キーワード(和) | 電界放射 / 冷陰極 / 真空マイクロエレクトロニクス / ダイヤモンド |
| キーワード(英) | Field emission / Cold Cathode / Vacuum Microelectronics / Diamond |
| 資料番号 | ED2001-183 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/12/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Field Emission from Crystalline Diamond |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界放射 / Field emission |
| キーワード(2)（和/英） | 冷陰極 / Cold Cathode |
| キーワード(3)（和/英） | 真空マイクロエレクトロニクス / Vacuum Microelectronics |
| キーワード(4)（和/英） | ダイヤモンド / Diamond |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / H. Mimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 元 光 / G. Yuan |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 優 / M. Ikeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小野 修一 / S. Ono |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新日本無線(株)マイクロ波事業部 Microwave Division, New Japan Radio Co., Ltd |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 新井 学 / M. Arai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新日本無線(株)マイクロ波事業部 Microwave Division, New Japan Radio Co., Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寒河江 克巳 / K. Sagae |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横尾 邦義 / K. Yokoo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2001/12/7 |
| 資料番号 | ED2001-183 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 501 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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