| 講演名 | 2001/12/7 高周波マグネトロンスパッタリングによる遷移金属窒化物・炭化物薄膜の作製と冷陰極材料としての評価 後藤 康仁, 紀和 伸政, 中原 宏勲, 安孫子 正義, 辻 博司, 石川 順三, |
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| 抄録(和) | 高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて遷移金属窒化物・炭化物の薄膜を形成し、主として真空マイクロエレクトロニクスなどの冷陰極材料に利用するという観点から薄膜物性を評価した。通常の反応性スパッタリングを行わず、ターゲットを窒化物・炭化物として成膜を行い、膜中への窒素や炭素の取り込みについて検討した。その結果、窒化物は比較的窒素の取り込みが容易であったが、炭化物についてはスパッタ条件などを適当に選ばないと炭素の膜中への取り込みが難しいことがわかった。また、炭化物の仕事関数が必ずしも低くないことが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | We have prepared thin films of transition metal nitrides and carbides by radio frequency magnetron sputtering apparatus. Evaluation of the prepared films were performed from the application of these films to cold cathodes which are represented by the emitters of vacuum microelectronics devices. In the present study, sputtering was performed by an argon plasma, with the target of nitride or carbide, unlike the common technique of reactive sputtering. As a result, it was found that nitrogen was successfully incorporated in the film, whereas carbon was incorporated only when the narrow range of the deposition parameters. It was also found that the work function of carbide is not low as compared with nitrides. |
| キーワード(和) | 遷移金属 / 窒化物 / 炭化物 / 冷陰極 / 高周波マグネトロンスパッタリング |
| キーワード(英) | Transition metal / Nitride / Carbide / Cold cathode / Radio-frequency magnetron sputtering |
| 資料番号 | ED2001-180 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高周波マグネトロンスパッタリングによる遷移金属窒化物・炭化物薄膜の作製と冷陰極材料としての評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of thin films of transition metal nitrides and carbides by rf magnetron sputtering and their evaluation as a cold cathode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 遷移金属 / Transition metal |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物 / Nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 炭化物 / Carbide |
| キーワード(4)（和/英） | 冷陰極 / Cold cathode |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波マグネトロンスパッタリング / Radio-frequency magnetron sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 康仁 / Yasuhito GOTOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 紀和 伸政 / Nobumasa KIWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中原 宏勲 / Hironori NAKAHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安孫子 正義 / Masayoshi ABIKO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 辻 博司 / Hiroshi TSUJI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石川 順三 / Junzo ISHIKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2001/12/7 |
| 資料番号 | ED2001-180 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 501 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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