| 講演名 | 2001/12/7 走査型アトムプローブによる電子源材料の原子レベルでの解析 西川 治, 柳生 貴也, 村上 智, 渡邉 將史, 谷口 昌宏, 皆藤 孝, 近藤 昌子, |
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| 抄録(和) | 個々の表面原子を逐一検出同定できるアトムプローブ(AP)の試料は鋭い先端を持つ針状であるため、応用範囲は限られていた。この制約を除去するために、微細な漏斗型の引出電極を装着した走査型AP(SAP)を開発し、平面状試料の分析が可能となった。また、SAPの試料に印加する負電圧と電界放射電流から得られるI-V特性から分析領域の電子状態が調べられる。こうしたSAPの特性を生かしてシリコン、人工ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、グラファイト等の組成分布と電界放射特性、更に構成原子間の結合状態との開連が調べられた。 他方、SAPの引出電極の先端を走査探針とすることにより、SAPを走査型トンネル顕微鏡(STM)として作動させ、試料表面の形状を描き出すことにより所望の領域を分析できる機能を持たせる研究や組成分布を原子レベルの分解能で三次元的に表示できる3D-SAPの開発も進んでいる。 |
| 抄録(英) | The atom probe(AP)allows to mass analyze individual atoms on a specimen surface. However, the application of the AP is severely limited because the analyzable area is an apex of a sharp tip. In order to ease this restriction the scanning atom probe(SAP)with a funnel-shaped scanning micro extraction electrode is introduced. Since the extraction electrode confines the high field required for field evaporation of surface atoms in a small space between a minute cusp and the electrode, the SAP can mass analyze an unpolished flat specimen surface. The electronic states were also studied by operating the AP as a field emission microscope(FEM). Thus, composition and binding states of silicon, artificial diamond, carbon nano-tubes were studied utilizing the unique capability of the SAP. Presently, the SAP, which can depict the surface topography utilizing the sharp end of the extraction electrode as a scanning tip of the scanning tunneling microscope(STM), and a 3D-SAP, which exhibits three dimensional distribution of composition, are under development. |
| キーワード(和) | 走査型アトムプローブ / 走査型トンネル顕微鏡 / 電界放射特性 / シリコン / 人工ダイヤモンド / カーボンナノチューブ |
| キーワード(英) | Scanning Atom Probe / Scanning Tunneling Microscope / Field Emission Characteristics / Silicon / Artificial Diamonds / Carbon Nano-tubes |
| 資料番号 | ED2001-174 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 走査型アトムプローブによる電子源材料の原子レベルでの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic Level Analysis of Electron Sources by the Scanning Atom Probe |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 走査型アトムプローブ / Scanning Atom Probe |
| キーワード(2)（和/英） | 走査型トンネル顕微鏡 / Scanning Tunneling Microscope |
| キーワード(3)（和/英） | 電界放射特性 / Field Emission Characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | 人工ダイヤモンド / Artificial Diamonds |
| キーワード(6)（和/英） | カーボンナノチューブ / Carbon Nano-tubes |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西川 治 / Osamu Nishikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 工学部 物質応用工学科 Dept.of Materials Science and Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳生 貴也 / Takaya Yagyu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 工学部 物質応用工学科 Dept.of Materials Science and Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村上 智 / Tomo Murakami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 工学部 物質応用工学科 Dept.of Materials Science and Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邉 將史 / Masafumi Watanabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 工学部 物質応用工学科 Dept.of Materials Science and Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷口 昌宏 / Masahiro Taniguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 工学部 物質応用工学科 Dept.of Materials Science and Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 皆藤 孝 / Takashi Kaito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | セイコーインスツルメント株式会社 科学機器事業部 Scientific Instruments Division, Seiko Instruments Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 近藤 昌子 / Shoko Kondo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東レリサーチセンター表面科学研究部 Surface Science Division, Toray Research Center |
| 発表年月日 | 2001/12/7 |
| 資料番号 | ED2001-174 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 501 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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