| 講演名 | 2001/12/6 半導体ティップ微小電子源からのレーザー支援電界放出 石塚 浩, 河村 良行, 横尾 邦義, 三村 秀典, 嶋脇 秀隆, 細野 彰彦, |
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| 抄録(和) | 出力100mWのcwYAG2倍波レーザー(波長532nm)を用いてn型シリコン微小電子源を照射し、電界放出への効果を調べた。使用した微小電子源は直系0.2mmの円内に640ティップを配した2段ゲート型と、1及び3ティップの1段ゲート型の2種である。微小電子源上で最大強度約10^7W/m^2のレーザー光は、機械的チョッパーによって4μsの立ち上がりでオンオフされた。電界放出電流はレーザー照射に伴って増加したが、照射すべき位置、増加量のゲート電圧依存性、照射への時間的応答において上記の両種電子源は異る様相を示した。電流増加量の光強度依存性を含む測定データを報告し、それらの定性的な解釈を述べる。 |
| 抄録(英) | Effect of laser illumination on electron emission from gated n-type Si field-emitters was studied using a 100 mW cw YAG laser at the second harmonic (wavelength=532nm). The laser beam was mechanically chopped with a rise time of 4 μs to clearly identify the increase of emission current due to illumination. Two types of emitters (640-tip double-gated FEAs and 1-3-tip single-gated emitters) showed different features in regard to their response to the laser. Experimental results are explained qualitatively by a simple model considering emission and recombination of photoexcited electrons. |
| キーワード(和) | 微小電子源 / 電界放出 / YAGレーザー / 光励起 / 半導体 |
| キーワード(英) | Field-emitter array / electron beam / YAG laser / photoexcitation / semiconductor |
| 資料番号 | ED2001-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/12/6(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体ティップ微小電子源からのレーザー支援電界放出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoelectric Field Emission from Gated Silicon Field-emitters |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微小電子源 / Field-emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | 電界放出 / electron beam |
| キーワード(3)（和/英） | YAGレーザー / YAG laser |
| キーワード(4)（和/英） | 光励起 / photoexcitation |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体 / semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石塚 浩 / H. Ishizuka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福岡工業大学工学部 Faculty of Engineering, Fukuoka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河村 良行 / Y. Kawamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福岡工業大学工学部 Faculty of Engineering, Fukuoka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横尾 邦義 / K. Yokoo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / H. Mimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 嶋脇 秀隆 / H. Shimawaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 八戸工業大学電気電子工学科 Department of Electric and Electronic Engineering, Hachinohe Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 細野 彰彦 / A. Hosono |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2001/12/6 |
| 資料番号 | ED2001-171 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 500 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |