| 講演名 | 2001/9/6 RF SAWデバイス用シミュレーション技術 橋本 研也, |
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| 抄録(和) | 本稿では、RF SAWデバイスに利用されるシミュレーション技術の現状について紹介すると共に、より高精度なシミュレーション実現に向けて解決すべき数多くの問題点を示す。まず最も基本的な一次元解析を取り上げ、その解析パラメータ導出に利用される数値解析法を紹介する。次に、バルク波との結合等の2次効果とデバイス特性の関係について述べ、それらのモデル化の現状についても報告する。最後に、寄生インピーダンスとデバイス特性の影響についても論じる。 |
| 抄録(英) | This paper reviews current status of simulation technologies for the RF SAW devices to reveal necessities for the development of fast and precise simulators in near future. First, the most simple one-dimensional analysis is discussed, and numerical techniques to determine parameters required for the analysis are compared. Then various second-order effects and its modelling are discussed. Finally, influence of parasitic impedances is discussed. |
| キーワード(和) | RF SAWデバイス / シミュレータ / 寄生インピーダンス |
| キーワード(英) | RF SAW devices / Simulators / parasitic impedance |
| 資料番号 | ED2001-106,MW2001-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/9/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF SAWデバイス用シミュレーション技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation Technologies for RF SAW Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF SAWデバイス / RF SAW devices |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレータ / Simulators |
| キーワード(3)（和/英） | 寄生インピーダンス / parasitic impedance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 研也 / Ken-ya HASHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2001/9/6 |
| 資料番号 | ED2001-106,MW2001-58 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 294 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |