| 講演名 | 2001/6/29 Electrical properties of BLT thin films prepared by CSD(chemical Solution Deposition)method , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Recently, the ferroelectrics bismuth lanthanum titanate (Bi_<3.25>La_<0.75>Ti_3O_<12>) thin film has been expected as a novel material for FRAM device since it has a large polarization, fatigue free, and crystallized at low temperature compared to SrBi_2Ta_2O_9 material. The BLT thin film was fabricated successfully on Pt/Ti/SiO_2/Si substrate by chemical solution deposition method. The films were crystallized at the temperature range of 600～700℃ using rapid thermal process and quartz tube furnace. X-ray diffraction shows a ferroelectric single-phase film. The spontaneous polarization (Ps) and the switching polarization of BLT film annealed at 700℃ for 2 min are 16.75 and 13.14 uC/cm^2, respectively. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | BLT / ferroelectric thin film / rapid thermal annealing / furnace annealing / FeRAM |
| 資料番号 | ED2001-85, SDM2001-92 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/6/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of BLT thin films prepared by CSD(chemical Solution Deposition)method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / BLT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Chang Jung Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Materials and Devices Lab, Samsung Advanced Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/6/29 |
| 資料番号 | ED2001-85, SDM2001-92 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 161 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |