| 講演名 | 2001/6/28 Atomic Layer Etching of Si(100) at Room Temperature , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Atomic layer etching of Si(100) has been investigated by alternated chlorine adsorption and Ar^+ ion irradiation. As the Ar^+ ion source, helicon plasma has been used to invoke the surface reaction of Si with the adsorbed chlorine. In order to achieve the atomic layer etching of Si, the Ar^+ ion acceleration energy should be above 20eV. The self-limited etch rate was measured to be half monolayer per cycle, which was 0.68・ per cycle. The roughness of Si surface increased during the etching in about 22%. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Atomic layer etching / Chlorine adsorption / Helicon plasma |
| 資料番号 | ED2001-65, SDM2001-72 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/6/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic Layer Etching of Si(100) at Room Temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Atomic layer etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Bum J. Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University |
| 発表年月日 | 2001/6/28 |
| 資料番号 | ED2001-65, SDM2001-72 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 160 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |