| 講演名 | 2001/6/28 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件 レンスキ マルクス, 木村 康隆, 岩井 信, 桜庭 弘, 遠藤 哲郎, 舛岡 富士雄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本論文では、5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のための8インチSiウェハ搬入条件を明らかにした。5nm以下の均一なゲート酸化膜を得るため、以下のようなウェハ搬入技術が提案された。:(1)酸化を抑制するため、100%N_2雰囲気の酸化炉の条件下で、低温の搬入温度を用いる。(2)中温の搬入温度でシリコンの窒化の保護膜を形成するため前酸化を行う。(3)酸化を抑制するため、100%N_2雰囲気の中で酸化温度まで最後の温度上昇を行う。この提案された技術によって、膜厚4.2nm、膜厚偏差4.0%未満のゲート酸化膜厚が850℃の従来の酸化条件下で形成される。 |
| 抄録(英) | In this paper, we investigated the influence of different wafer loading conditions on thickness uniformity of sub-5nm-thick oxides grown on 8″ p-Si wafers. In order to obtain uniform sub-5-nm-thick oxide films, we propose the following loading conditions prior to oxidation:(1)low-temperature loading in a pure nitrogen ambient to suppress the oxidation, (2)pre-oxidation in the middle temperature range in a nitrogen ambient containing 1% oxygen to form protection layer against the nitridation, and (3)final temperature ramp-up until the oxidation temperature in pure nitrogen to suppress the oxidation. Using this method, gate oxides with a thickness of 4.2-nm, and a thickness deviation of <4.0% can be grown under conventional dry oxidation conditions at 850℃. |
| キーワード(和) | ウェハ搬入条件 / ゲート酸化膜 / 前酸化 / 膜厚偏差 |
| キーワード(英) | wafer loading condition / gate oxide / pre-oxidation / thickness deviation |
| 資料番号 | ED2001-56, SDM2001-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/6/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Silicon Wafer Loading Conditions on Thickness Uniformity of Sub-5nm-Thick Oxide Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウェハ搬入条件 / wafer loading condition |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート酸化膜 / gate oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 前酸化 / pre-oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 膜厚偏差 / thickness deviation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | レンスキ マルクス / Markus Lenski |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communicaton, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木村 康隆 / Yasutaka Kimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communicaton, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩井 信 / Makoto Iwai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communicaton, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桜庭 弘 / Hiroshi Sakurada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communicaton, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communicaton, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 舛岡 富士雄 / Fujio Masuoka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communicaton, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2001/6/28 |
| 資料番号 | ED2001-56, SDM2001-63 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 160 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |