| 講演名 | 2001/6/28 Ni Germano-Salicide Technology for High Performance MOSFETs , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Ni salicide process is applied directly on poly-si_<0.8>Ge_<0.2> gate, and MOSFETs utilizing Ni(Si_xGe_<1-x>)/poly-Si_<0.8>Ge_<0.2> gate is fully characterized. The excellent value(～5Ω/□) of sheet resistance is achieved from 0.15μm Ni(Si_xGe_<1-x>)/Si_<0.8>Ge_<0.2> gate, while Co salicide process applied on Si_<0.8>Ge_<0.2> gate results in R_s fail due to Ge segregation. With poly-Si_<0.8>Ge_<0.2> gate and Ni salicide process, the current drivability of pMOSFETs is significantly improved due to less gate poly depletion and lower source-to-drain resistance(R_ |
| キーワード(和) | Ni salicide / Co salicide / Poly-SiGe gate / Germano-silicide |
| キーワード(英) | Ni salicide / Co salicide / Poly-SiGe gate / Germano-silicide |
| 資料番号 | ED2001-52, SDM2001-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/6/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ni Germano-Salicide Technology for High Performance MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ni salicide / Ni salicide |
| キーワード(2)（和/英） | Co salicide / Co salicide |
| キーワード(3)（和/英） | Poly-SiGe gate / Poly-SiGe gate |
| キーワード(4)（和/英） | Germano-silicide / Germano-silicide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Siyoung Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2001/6/28 |
| 資料番号 | ED2001-52, SDM2001-59 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 160 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |