| 講演名 | 2001/5/17 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験 村上 倫章, 早川 泰弘, / 柴田 尚弘, 小松 秀輝, 中村 徹郎, 山田 哲生, 小山 忠信, 小澤 哲夫, 岡野 泰則, 宮澤 政文, 熊川 征司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 落下塔を利用した微小重力環境下と地上の1g下において, InSbとGaSbの融解過程とInGaSb凝固過程を高速度カメラを用いてその場観察し, その結果自由空間が存在すると重力の有無にかかわらず, こぶ状のInGaSb突起物が生成すること, 突起物のIn組成比は生成温度に依存することや, 微小重力下では球状になることがわかった. 1g環境から微小重力環境へと変化させることで, 結晶の融解速度が増加した. これは, 微小重力環境下では熱対流が抑制されるので, 地上と比べ熱輸送が遅くなったためと考えられる. |
| 抄録(英) | The solidification and melting processes of some antimonide based III-V compound semiconductors were in-situ observed under microgravity using a drop facility and under 1 g condition. During cooling of In-Ga-Sb molten solution, In_xGa_<1-x>Sb solidified in the form of projections. The shapes of the projections were almost spherical under microgravity, but they were semispherical under 1 g. The In composition varied with the time of solidification. The melting velocities of InSb and GaSb under microgravity condition were found to be faster then those that under 1g condition. This could be due to the difference of convective forces under these gravity conditions. |
| キーワード(和) | 落下塔 / 微小重力 / InGaSb / 凝固 / 難解 / その場観察 |
| キーワード(英) | Drop Tower / Microgravity / InGaSb / solidification / melting velocity |
| 資料番号 | ED2001-29,CPM2001-16,SDM2001-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experiments of solidification and melting of semiconductor crystal under reduced gravity using drop tower |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 落下塔 / Drop Tower |
| キーワード(2)（和/英） | 微小重力 / Microgravity |
| キーワード(3)（和/英） | InGaSb / InGaSb |
| キーワード(4)（和/英） | 凝固 / solidification |
| キーワード(5)（和/英） | 難解 / melting velocity |
| キーワード(6)（和/英） | その場観察 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村上 倫章 / N. Murakami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. Hayakawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 柴田 尚弘 / K. Balakrishnan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小松 秀輝 / N. Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 徹郎 / H. Komatsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山田 哲生 / T. Nakamura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. Yamada |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小澤 哲夫 / T. Koyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岡野 泰則 / T. Ozawa |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 静岡理工科大学 Shizuoka Inst. of Science Tech |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 宮澤 政文 / Y. Okano |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Dept. of eng., Shizuoka Univ. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. Miyazawa |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Dept. of eng., Shizuoka Univ. |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-29,CPM2001-16,SDM2001-29 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |