| 講演名 | 2001/5/17 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_<1-x>Asブリッジ成長 , 飯田 晋, 小山 忠信, 熊川 征司, 早川 泰弘, |
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| 抄録(和) | InAs(111)パターン基板を組成変換させた後、その上にIn_<1-x>Ga_xAs(x=0.2)薄膜を液相成長させた。溝なし基板上に成長させたIn_<1-x>Ga_xAs(x=0.2)横方向成長層は鏡面で平坦な層であった。溝付き基板を用いた場合, 完全なブリッジ層は得られなかったが. SiN_xを溝底面に堆積した横付き基板を用いると、In_<1-x>Ga_xAs(x=0.2)ブリッジ層が形成された。ブリッジ層のエッチピット密度は低く、品質の良い層が成長した。基板の形状に関らず、成長層のGaとIn組成比分布は均一であった。 |
| 抄録(英) | High quality In_<1-x>Ga_xAs(x=0.2) layers were grown on composition converted InAs(111) patterned substrates by liquid phase epitaxy (LPE). Epitaxial lateral overgrown (ELO) In_<1-x>Ga_xAs(x=0.2) layer with flat and mirror-like surface was obtained on trenchless-substrate. Clean bridge layer of was not formed when the trench substrate was used. When the trench-substrate with SiN_x deposition at the trench bottom was used, In_<1-x>Ga_xAs(x=0.2) bridge layer resulted. The etch pit density (EPD) of the bridge layer was found to be low. Ga and In compositions of the In_<1-x>Ga_xAs(x=0.2) epitaxial layers grown on all types of composition converted InAs substrates were found to be uniform. |
| キーワード(和) | InGaAs / ブリッジ層 / 組成変換 / 液相成長法 |
| キーワード(英) | In_<1-x>Ga_xAs / composition conversion / liquid phase epitaxy (LPE) / bridge layer |
| 資料番号 | ED2001-28,CPM2001-15,SDM2001-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_<1-x>Asブリッジ成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of high quality In_<1-x>Ga_xAs bridge layers with high indium compositions on composition converted InAs substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / In_<1-x>Ga_xAs |
| キーワード(2)（和/英） | ブリッジ層 / composition conversion |
| キーワード(3)（和/英） | 組成変換 / liquid phase epitaxy (LPE) |
| キーワード(4)（和/英） | 液相成長法 / bridge layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / K. Balakrishnan |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯田 晋 / S. Iida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. Kumagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. Hayakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-28,CPM2001-15,SDM2001-28 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |