| 講演名 | 2001/5/17 Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減 来正 洋一, 牧野 信也, 大塚 康二, 桑原 憲弘, 角谷 正友, 高野 泰, 福家 俊郎, |
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| 抄録(和) | MOVPE法によるサファイア基板上GaN成長においてもGaN膜中にGaドットを埋め込むことにより、成長層の欠陥密度を低減することを検討した。初期GaN層上へのGa堆積最が多くなるにつれて、ドットサイズは大きくなり、密度は減少する傾向が見られた。再成長層の成長速度を速くすると、Gaドットの埋め込みが容易になり、結晶性および表面形態が良くなることがわかった。InGaNキャップ層のピット密度より評価した欠陥密度は、Gaドットを2度埋め込むことにより、埋め込まない場合の5×10^9/cm^2から2×10^7/cm^2まで減少した。また、XRCの測定から、再成長層の格子の傾きは小さいことがわかった。 |
| 抄録(英) | The reduction of defect density in GaN layer grown on sapphire by MOVPE is attempted by burying Ga dots in GaN layer. The Ga dot size becomes large and its density decreases when Ga metal is deposited in quantity on initial GaN layer. When the regrowth rate becomes faster, it is found that Ga dots are easily buried and both surface morphology and crystallinty are improved. The defect density estimated by the pit density on he surface of InGaN overlayer decreases from 5×10^9/cm^2 for standard epilayer to 2×10^7/cm^2 for the sample in which Ga dots are buried twice. It is found that the crystallographic tilt of lattice is small from XRC measurement. |
| キーワード(和) | GaN成長 / MOVPE法 / Ga埋め込み / 選択成長 |
| キーワード(英) | GaN / MOVPE / Buried Ga metal / Selective Growth |
| 資料番号 | ED2001-26,CPM2001-13,SDM2001-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of defect density in GaN layer having buried Ga metal |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN成長 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE法 / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | Ga埋め込み / Buried Ga metal |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / Selective Growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 来正 洋一 / Y. Kurumasa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧野 信也 / S. Makino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大塚 康二 / K. Ohtuka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | サンケン電気(株)研究所 Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / K. Kuwahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 角谷 正友 / M. Sumiya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y. Takano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / S. Fuke |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-26,CPM2001-13,SDM2001-26 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |