| 講演名 | 2001/5/17 エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長 若原 昭浩, 川村 延伸, 大石 浩司, 吉田 明, 石田 誠, |
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| 抄録(和) | Si基板上への高品質GaN成長層実現のため、Si基板上にエピタキシャル成長させたγ-Al_2O_3層を中間層として用いてGaN成長を行った。基板としては、Si(001)およびSi(111)を用い、層厚約10nmのγ-Al_2O_3エピタキシャル成長層を形成した後に、常圧.横型の有機金属気相エピタキシャル成長法を用いて Can の成長を行った。Si(111)基板を用いた場合には、シングルドメインのGaN層が得られた。 |
| 抄録(英) | Heteroepitaxy of GaN on Si substrate is investigated by using g-Al_20_3 intermediate layer, which is also epitaxially grown on Si. γ-Al_2O_3 thin layer is grown on both Si(001) and Si(111) wafers, and then GaN layer is grown by means of atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy using trimethylgallium and ammonia. Single crystalline GaN layer can be obtained on γ-Al_2O_3(111)/Si(111) substrate. |
| キーワード(和) | へテロエピタキシー / GaN / γ-Al_22O_3 / 有機金属気相成長 |
| キーワード(英) | Hetaroepitaxy / GaN γ-Al_2O_3 / Organometallic vapor phase epitaxy |
| 資料番号 | ED2001-25,CPM2001-12,SDM2001-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Organometallic Vapor Phase Epitaxy of GaN on Si using Epitaxial Al_2O_3 Intermediate Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | へテロエピタキシー / Hetaroepitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN γ-Al_2O_3 |
| キーワード(3)（和/英） | γ-Al_22O_3 / Organometallic vapor phase epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / A. Wakahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Toyohashi University of Technology, Dept. of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川村 延伸 / N. Kawamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Toyohashi University of Technology, Dept. of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大石 浩司 / H. Oishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Toyohashi University of Technology, Dept. of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / A. Yoshida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Toyohashi University of Technology, Dept. of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石田 誠 / M. Ishida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気電子工学系 Toyohashi University of Technology, Dept. of Electrical and Electronic Engineering |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-25,CPM2001-12,SDM2001-25 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |