| 講演名 | 2001/5/17 HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価 長澤 仁也, 尾勢 朋久, 石野 健英, 井上 翼, 藤安 洋, 石田 明広, |
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| 抄録(和) | (HWE)法を用いてGaN層に単原子層のAINを挟んだAlN/GaN短周期超格子を作製した。超格子構造は、X線回折パターンの測定値と理論値との比較により評価し、良好な超格子構造ができていることが確認された。また PL測定、励起スペクトル測定を行い、AlGaN/GaN超格子と比べ比較的強い発光が観測された。比較的強い発光はAlN/GaN短周期超格子のピエゾ効果が通常のAlGaN/GaN超格子に比べ小さいためであると考えられる。GaN層の厚さの変化に伴うバンド端発光のエネルギーシフト量は、理論値と良く一致した。 |
| 抄録(英) | AlN/GaN short-period superlattices with monolayer AlN were prepared by hot-wall epitaxy (HWE). The superlattice structure was confirmed by x-ray diffraction through a comparison between the measured diffraction curves and simulated ones. Interband photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectra were also measured. Relatively strong PL emissions compared with conventional AlGaN/GaN superlattices were observed, which can be attributed to the small piezoelectric effect. The energy shifts of the band edge emission with the GaN well thickness agree well with the calculated results within the envelop wave-function framework. |
| キーワード(和) | Hot wall epitaxy (HWE) / AlN / GaN / 超格子 / 短周期超格子 / 原子層成長 |
| キーワード(英) | Hot-wallepitaxy / AlN / GaN / Superlattice / Short-period superlattice / Monolayer |
| 資料番号 | ED2001-22,CPM2001-9,SDM2001-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Properties of AlN/GaN Short-Period superlattices by Hot Wall Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Hot wall epitaxy (HWE) / Hot-wallepitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 超格子 / Superlattice |
| キーワード(5)（和/英） | 短周期超格子 / Short-period superlattice |
| キーワード(6)（和/英） | 原子層成長 / Monolayer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長澤 仁也 / H. NASAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 尾勢 朋久 / T. OSE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石野 健英 / K. ISHINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 翼 / Y. INOUE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤安 洋 / H. FUJIYASU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石田 明広 / A. ISHIDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-22,CPM2001-9,SDM2001-22 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |