| 講演名 | 2001/5/17 MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減 小林 知存, 久留利 智穂, 浦西 泰樹, 桑原 憲弘, 福家 俊郎, 高野 泰, |
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| 抄録(和) | 減圧MOCVD装置を用いて、Si基板上に5μmのGaAs層を成長させた。最終層にInをドープすることによって、成長後の冷却中に生じる引っ張り熱歪みの影響を抑制することを試みた。PLによるピーク波長シフトの測定、および断面TEM観察による残留歪みの計算から、Inをドープすることが冷却中に生じる引っ張り歪みの抑制に効果的であることが確認できた。この熱歪みの抑制効果と、GaAs成長中の高温でのサーマルサイクルアニール組み合わせる事により、In_<0.038>Ga_<0.962>As表面において6×10^5cm^<-2>という低い貫通転位密度を得ることが出来た。 |
| 抄録(英) | We have grown 5 μm thick GaAs layers on Si substrates by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition. We attempted to suppress the influence of thermal strain generated during cooling stage by indium doping in the final GaAs layer. Photoluminescence measurements and cross-section transmission electron microscopy were performed to investigate the residual strain of the InGaAs layer. It was confirmed that the In-doping was effective in reducing the influence of thermal strain. A low threading dislocation density of 6×10^5 cm^<-2> was achieved by combination of high temperature thermal cycle annealing and In doping. |
| キーワード(和) | MOCVD / サーマルサイクルアニール / 貫通転位密度 / Inドープ |
| キーワード(英) | MOCVD / thermal cycle annealing / threading dislocation density / In-doping |
| 資料番号 | ED2001-21,CPM2001-8,SDM2001-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of threading dislocation density in metalorganic-chemical-vapor-deposition-grown GaAs layer on Si substrate by In-doping |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | サーマルサイクルアニール / thermal cycle annealing |
| キーワード(3)（和/英） | 貫通転位密度 / threading dislocation density |
| キーワード(4)（和/英） | Inドープ / In-doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 知存 / K. Kobayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Universitdy |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久留利 智穂 / T. Kururi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Universitdy |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浦西 泰樹 / T. Uranishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Universitdy |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / K. Kuwahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Universitdy |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / S. Fuke |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Universitdy |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y. Takano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka Universitdy |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-21,CPM2001-8,SDM2001-21 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |