| 講演名 | 2001/5/17 InGaAsP/InAlAs超格子APDの暗電流低減化 鈴木 朝実良, 山田 篤志, 井戸田 健, 田中 英之, 横塚 達男, |
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| 抄録(和) | InGaAsP/InAlAs 超格子 APD の暗電流低減化に向け、もっとも強い電界のかかる超格子増倍層部に非対称超格子と歪み補償超格子の二種類の構造を導入し、比較検討した。非対称超格子では、井戸層を薄くするとともに障壁層を厚くし、実効バンドギャップを増加させることで増倍層におけるトンネル暗電流を抑制させた。また、歪み補償超格子ではInGaAsP井戸層とInAlAs障壁層との界面における伝導体バンド不連続ΔE_cを大きくとり、価電子帯側のバンド不連続は0となるように混晶組成を決定した。歪み補償超格子の導入では実効バンドギャップの増加とともにイオン化率の増加も期待できる。 |
| 抄録(英) | We studied dark current reduction of avalanche photodiode using asymmetric InGaAsP/InAlAs superlattice structure and strain-compensated InGaAsP/InAlAs superlattice structure, which were fabricated by gas-source molecular beam epitaxy. In asymmetric InGaAsP/InAlAs superlattice structure, the dark current value of 0.4 μ A at a M = 10 was achieved. This is the smallest value of dark current for InGaAsP/InAlAs SL-APD, as we know. The strain-compensated InGaAsP/InAlAs superlattice structure is the excellent example among symmetric superlattices. The APD device including strain-compensated InGaAsP/InAlAs multiplication layer also improves the dark current property while its excellent low excess noise property maintains. |
| キーワード(和) | 超格子APD / InGaAsP/InAlAs超格子 / 暗電流 / 歪み補償超格子 |
| キーワード(英) | superlattice APD / InGaAsP/InAlAs superlattice / dark current / strain compensated superlattice |
| 資料番号 | ED2001-20,CPM2001-7,SDM2001-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAsP/InAlAs超格子APDの暗電流低減化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Durk Current Reduction of InGaAsP/InAlAs Super-lattice Avalanche Photodiod |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超格子APD / superlattice APD |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAsP/InAlAs超格子 / InGaAsP/InAlAs superlattice |
| キーワード(3)（和/英） | 暗電流 / dark current |
| キーワード(4)（和/英） | 歪み補償超格子 / strain compensated superlattice |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 朝実良 / Asamira Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Advanced Technology Research Labolatories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 篤志 / Atsushi Yamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Advanced Technology Research Labolatories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井戸田 健 / Ken Idota |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Advanced Technology Research Labolatories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 英之 / Hideyuki Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Advanced Technology Research Labolatories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 横塚 達男 / Tatsuo Yokotsuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Advanced Technology Research Labolatories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-20,CPM2001-7,SDM2001-20 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |