| 講演名 | 2001/5/17 CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価 菊池 仁, 天羽 広史, 江間 義則, 高橋 崇宏, |
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| 抄録(和) | CuIをCu供給源としてホットウォール法によりCuInSe_2薄膜を作製した。CuIのみの蒸着では基板温度が500℃の場合何も付着しないが、Seを同時に加えることによりセレン化銅の膜が堆積された。これにIn_2SeとSeの蒸気を加えることでCuInSe_2膜が作製できた。ガラス基板上の成膜では、わずかにセレン化銅の混在した[121]配向性を持つCuInSe_2が形成された。組成比はCu:In:Seが1:1:2に近いもので、Iは検出限界以下であった。GaAs(001)基板上への成膜ではCuInSe_2がエピタキシャル的に成長した部分が認められた。純銅を蒸発源として作製した試料と比べ、CuI用いた試料では結晶性などがやや劣っていた。 |
| 抄録(英) | CuInSe_2 thin films have been formed by the hot-wall deposition using Cu-Se and In-Se vapor fluxes. The former flux was produced from CuI and Se sources, and the latter In_2Se and Se. The films on the glass substrates showed [112] oriented chalcopyrite-type CuInSe_2, although they contained Cu_<2-x>Se and/or Cu_2Se phases a little. Composition ratio of Cu:In:Se in films were nearly 1:1:2 with no I signal (less than noise level) in EPMA. The epitaxial growth was recognized in films on GaAs(001) substrates. |
| キーワード(和) | CuInSe_2 / ホットウォール法 / CuI / セレン化銅 / GaAs / エピタキシャル |
| キーワード(英) | CuInSe_2 / hot-wall / CuI / Cu_2Se / GaAs / epitaxial |
| 資料番号 | ED2001-19,CPM2001-16,SDM2001-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and Properties of CuInSe_2 Thin Films by Hot-Wall Deposition using CuI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuInSe_2 / CuInSe_2 |
| キーワード(2)（和/英） | ホットウォール法 / hot-wall |
| キーワード(3)（和/英） | CuI / CuI |
| キーワード(4)（和/英） | セレン化銅 / Cu_2Se |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(6)（和/英） | エピタキシャル / epitaxial |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊池 仁 / Hitoshi KIKUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 天羽 広史 / Hiroshi AMOU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江間 義則 / Yoshinori EMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 崇宏 / Takahiro TAKAHASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-19,CPM2001-16,SDM2001-19 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |