| 講演名 | 2001/5/17 CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討 李 海錫, 海江田 理, 藤田 尚樹, 岡田 浩, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | CuInSe_2薄膜の電気特性に対する2MeVと3MeV電子線照射効果を調べた。CIS薄膜はGaAs基板上に高周波スパッタ法でエピタキシャル成長させた。電子線照射量が1×10^<17>cm^<-2>を越えるとCIS薄膜のキャリア密度と移動度が減少していった。電子線照射によるCIS薄膜のキャリア消滅速度は1cm^<-1>であった。この消滅速度は他の材料を用いた太陽電池より小さい値となった。今回の実験では電子線のエネルギの大きさによるキャリア消滅速度の変化は見られなかった。CIS薄膜のキャリア密度の温度依存性から、電子線照射による欠陥の特性を評価した。また、欠陥の電子線照射量の依存性も検討した。 |
| 抄録(英) | Effect of 2MeV and 3MeV electron irradiation on the electrical properties of CuInSe_2 thin films has been investigated. CIS thin films were epitaxially grown on the GaAs(001) substrates by RF sputtering. As the electron fluence exceeded 1×10^<17>cm^<-2>, the carrier concentration and mobility of CIS thin films were degraded. The carrier removal rate with electron fluence was determined to be about 1cm^<-1>, which is lower than other solar cells. In this study, no significant change in the carrier removal rate was observed as a function of electron energy. From temperature dependence of the carrier density, electron irradiation induced defect was characterized and its dependence on the electron fluence was discussed. |
| キーワード(和) | CuInSe_2 / 照射欠陥 / キャリア消滅速度 / 太陽電池 |
| キーワード(英) | CuInSe_2 / irradiation induced defect / carrier removal rate / solar cell |
| 資料番号 | ED2001-18,CPM2001-5,SDM2001-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of electron irradiation effect on CuInSe_2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuInSe_2 / CuInSe_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 照射欠陥 / irradiation induced defect |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア消滅速度 / carrier removal rate |
| キーワード(4)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 李 海錫 / Hae-Seok Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 海江田 理 / Yoshi Kaieda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 尚樹 / Naoki Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-18,CPM2001-5,SDM2001-18 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |