| 講演名 | 2001/5/17 エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成 清水 克美, 三宅 亜紀, 青木 徹, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法によりSi(111)上にエピタキシャル成長させたZnSe(111)を酸素中で熱酸化することにより単結晶ZnO(0001)を得た。このZnO結晶を用いて、工キシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成を試みた。ZnO表面に、ドーパント原料となるSbを蒸着し、エキシマレーザーパルスを照射することによってp形ZnO層の形成を試みた。Au電極とZnO薄膜表面でオーミックコンタクトが得られ、抵抗率の減少がみられた。ホール効果測定の結果、ホール係数は正の値となることからp形のZnO層が形成されていることがわかり. このとき抵抗率 8×10^<-3>Ωcm、移動度1.45cm^2/Vs、正孔濃度 5×10^<20>cm^<-3>3であった。 |
| 抄録(英) | Epitaxial ZnO were formed by oxidation of epitaxial ZnSe on Si (111) substrate by RP-MOCVD. P-type ZnO layer was fabricated with Sb as a dopant by excimer laser irradiation. Ohmic contact electrodes were formed with evaporated Au metal. These fabricated ZnO layer were found as p-type ZnO layer by Hall measurement and the resistivity was 8x 10^<-3> ohm-cm; the mobility, 1.45cm^2/V-s; and the hole concentration, 5×10^<20>cm^<-3>. |
| キーワード(和) | ZnO / エキシマレーザー / レーザードーピング / II-VI族化合物半導体 |
| キーワード(英) | Zinc oxide / Excimer laser, Laser doping, II-VI compound semiconductor |
| 資料番号 | ED2001-17,CPM2001-4,SDM2001-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | P-type ZnO Layer Formation by Excimer Laser Doping |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / Zinc oxide |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマレーザー / Excimer laser, Laser doping, II-VI compound semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | レーザードーピング |
| キーワード(4)（和/英） | II-VI族化合物半導体 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 克美 / Y. Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 亜紀 / A. Miyake |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Y. Nakanishi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y. Hatanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-17,CPM2001-4,SDM2001-17 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |