| 講演名 | 2001/5/17 MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性 富田 泰光, 増田 祐輔, 石黒 智章, 川内 康弘, 保木 一樹, 森下 浩志, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | イソプロピルヨウ素 (IPI), エチルヨウ素 (EI) をn型ドーパントとしたMOVPE成長CdTe層へのドーピング特性について検討を行った. 成長基板には (100)GaAs基板を用い, Cd原料はジメチルカドウム (DMCd), Te 原料はジターシャリプチルテルル (DtBTe), ジエチルテルル (DETe)及びジイソプロピルテルル (DipTe)を用いた. 成長温度, ヨウ素供給量及びホットウォール温度を最適化することで, ドーブ層電子密度は10^<15>から10^<18>cm^<-3>まで広範囲に制御できることがわかった. また, 成長原料がドーピング特性に及ぼす影響やドーピングが成長特性に及ぼす影饗等についても検討を行った. |
| 抄録(英) | Characteristics of iodine doping in CdTe layers on (100)GaAs have been studied in MOVPE using isopropyliodine(IPI) and ethyliodine(EI) as a n-type dopant. Dimethylcadmium(DMCd), tertialybutyltelluride(DtBTe), diethyltelluride(DETe) and diisopropyltelluride(DiPTe) were used as precursors. Electron densities of doped layers were controlled from 10^<15> to 10^<18>cm^<-3> by controlled growth temperature, iodine supply rate and hotwall temperature. Effect of doping on the growth characterisics was also studied. |
| キーワード(和) | MOVPE / ヨウ素ドーピング / CdTe / n型 / EI / IPI |
| キーワード(英) | MOVPE / iodine doping / n-type / CdTe / EI / IPI |
| 資料番号 | ED2001-15,CPM2001-2,SDM2001-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/5/17(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Iodine doping in CdTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | ヨウ素ドーピング / iodine doping |
| キーワード(3)（和/英） | CdTe / n-type |
| キーワード(4)（和/英） | n型 / CdTe |
| キーワード(5)（和/英） | EI / EI |
| キーワード(6)（和/英） | IPI / IPI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 富田 泰光 / Yasumitsu Tomita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 祐輔 / Yusuke Masuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石黒 智章 / Tomoaki Ishiguro |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川内 康弘 / Yasuhiro Kawauchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 保木 一樹 / Kazuki Hoki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森下 浩志 / Hiroshi Morishita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/5/17 |
| 資料番号 | ED2001-15,CPM2001-2,SDM2001-15 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 78 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |