講演名 2001/5/17
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
浅野 浩司, 中村 篤志, / 青木 徹, 畑中 義式,
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抄録(和) X線やγ線に対して高い吸収係数をもつCdTeは比較的大きいバンドギャップを持つため室温動作が可能な高エネルギー放射線検出器として有用である。本研究では、高性能な放射線画像検出器として用いるべくCdTe単結晶に対してSb, 又はInをドーパントとしてエキシマレーザードーピング法を用いてM-π-nダイオードとp-i-nダイオードを作製した。さらにこのダイオードを使用して室温で放射線の検出を行った。このときの検出スペクトルの半値幅は、M-π-nダイオードではCo-57のγ線に対し122KeVの位置に置いて最小値で3.16KeVのものが得られた。
抄録(英) CdTe is an attractive semiconductor material for applications to solid state high-energy x-ray and γ-ray imaging devices. We have studied M-π-n and p-i-n diode by excimer laser doping. Sb and In were used as dopant. The radiation detection test was performed for the fabricated detectors at room temperature. The FWMH value of the 122keV photopeak of Co-57 was 3.16keV for the M-π-n structure diode.
キーワード(和) CdTe / エキシマレーザードーピング / 高エネルギー放射線 / 室温動作
キーワード(英) Cadmium Telluride / Excimer laser doping / High energy flux / Room temperature
資料番号 ED2001-14,CPM2001-1,SDM2001-14
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2001/5/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) CdTe p-i-n diode by excimer laser doping
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) CdTe / Cadmium Telluride
キーワード(2)(和/英) エキシマレーザードーピング / Excimer laser doping
キーワード(3)(和/英) 高エネルギー放射線 / High energy flux
キーワード(4)(和/英) 室温動作 / Room temperature
第 1 著者 氏名(和/英) 浅野 浩司 / K. Asano
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 篤志 / A. Nakamura
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) / 青木 徹 / Madan Niraula
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 4 著者 氏名(和/英) 畑中 義式 / T. Aoki
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日 2001/5/17
資料番号 ED2001-14,CPM2001-1,SDM2001-14
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 78
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日