講演名 | 2001/1/11 AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器 冨士原 明, 宮本 広信, 山之口 勝巳, 恩田 和彦, 水木 恵美子, 中山 達峰, 佐本 典彦, 田中 愼一, |
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抄録(和) | 60GHz帯無線LAN用受信段デバイスとしてInP系ヘテロ接合FET(HJFET)を用いたコプレーナ(CPW)型3段低雑音増幅器(LNA)を作製し、CPW型LNAとして世界最高の雑音指数2.0dB、利得22.1dB@60GHzを得た。基本デバイスには、熱的安定性の高い独自構造超格子挿入型InP-HJFETを採用した。回路設計には、0.1μm長の微細ゲート電極に適用可能なゲート抵抗スケーリング則を導入した小信号モデルを適用した。 |
抄録(英) | We describe a 60-GHz coplanar MMIC low-noise amplifier (LNA) using 0.1 μm-gate-length InP heterojunction FETs (HJFETs). A small signal FET model including accurate scaling of the gate resistance was employed for LNA circuit design. On-wafer noise measurements demonstrated a noise figure of 2.0 dB and a gain of 22.1 dB at 60 GHz. |
キーワード(和) | 低雑音増幅器 / コプレーナ / ヘテロ接合FET / ゲート抵抗 / InP |
キーワード(英) | LNA / coplanar / heterojunction FET / gate resistance / InP |
資料番号 | ED2000-232,MW2000-181,ICD2000-192 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2001/1/11(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 60-GHz Coplanar MMIC LNA using AlAs/InAs Superlattice-Inserted InP-Heterojunction FETs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 低雑音増幅器 / LNA |
キーワード(2)(和/英) | コプレーナ / coplanar |
キーワード(3)(和/英) | ヘテロ接合FET / heterojunction FET |
キーワード(4)(和/英) | ゲート抵抗 / gate resistance |
キーワード(5)(和/英) | InP / InP |
第 1 著者 氏名(和/英) | 冨士原 明 / A. Fujihara |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 宮本 広信 / H. Miyamoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 山之口 勝巳 / K. Yamanoguchi |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 恩田 和彦 / K. Onda |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Division, NEC Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 水木 恵美子 / E. Mizuki |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 中山 達峰 / Y. Nakayama |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 佐本 典彦 / N. Samoto |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
第 8 著者 氏名(和/英) | 田中 愼一 / S. Tanaka |
第 8 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
発表年月日 | 2001/1/11 |
資料番号 | ED2000-232,MW2000-181,ICD2000-192 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 548 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |