| 講演名 | 2001/2/21 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作 粟野 祐二, 島 昌司, 佐久間 芳樹, 杉山 芳弘, 横山 直樹, |
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| 抄録(和) | 正四面体溝底に自己組織的に形成した量子ドット1個をフローティングゲートとし、その中に蓄積される電荷数を溝側壁のHEMTチャネル電流で読みだす単一量子ドットメモリの基本動作について述べる。特にこのメモリの電気的および光学的書き込み特性について紹介し、蓄積電荷数制御という究極の多値メモリ動作の可能性について述べる。 |
| 抄録(英) | We report electrical properties of a single quantum dot memory that has a HEMT channel on the surfaces of Tetrahedral-Shaped Recess (TSR) and a quantum dot as a floating gate at the bottom. We then demonstrate the electrical and optical writing of the memory, thereby indicating the possibility of designing high-density multi-valued memory. |
| キーワード(和) | 量子ドット / メモリ / 多値メモリ / 自己組織化 / 高電子移動度トランジスタ |
| キーワード(英) | Quantum Dot / memory / Multi-value memory / self-assembled / High Electron Mobility Transistor |
| 資料番号 | ED2000-259,SDM2000-213 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2001/2/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Single Tetrahedral-Shaped Recess (TSR) Quantum Dot Memory and principles of operation of the number control of the charges stored in the quantum dot for multi-valued memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | メモリ / memory |
| キーワード(3)（和/英） | 多値メモリ / Multi-value memory |
| キーワード(4)（和/英） | 自己組織化 / self-assembled |
| キーワード(5)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / High Electron Mobility Transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 粟野 祐二 / Yuji Awano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 島 昌司 / Masashi Shima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐久間 芳樹 / Yoshiki Sakuma |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉山 芳弘 / Yoshihiro Sugiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 横山 直樹 / Naoki Yokoyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 発表年月日 | 2001/2/21 |
| 資料番号 | ED2000-259,SDM2000-213 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 641 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |