| 講演名 | 2000/10/12 XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 放射光を用いた蛍光EXAFS法が、半導体で通常の不純物レベルとして考えられる10^<18>cm^<-3>の濃度の原子でも、解析できる測定方法となっていることを紹介する。それと同時に、母体材料と不純物原子の組み合わせで、測定限界がそこまで行かない場合があることを示す。EXAFS法が本来持っている強みである「特定の原子周辺の局所構造」の測定対象に半導体中のEr原子を取り上げ、その局所構造が成長温度で大きく変わること、およびその局所構造がErの発光特性を決めていると解釈されることを述べる。GaAsにErとOを共添加すると、発光強度が数十倍に増大しかつ発光スペクトルが規則的で鋭い離散ピークとなることが分かっている。ここでも蛍光EXAFS法によりEr周辺の局所構造を解析することにより、2個のAsと2個のOがErに結合(配位)しており、Er周辺の局所構造が(第一近接に関しては)1種類に定まることを示す。 |
| 抄録(英) | Fluorescence XAFS is applied to impurity atoms in thin semiconductor layers with the concentration of ～10^<18>cm^<-3> where the impurities well behave as active dopants. It is demonstrated that the local structures of the impurity atom Er in Inp and Er/O in GaAs are correlated with the optical properties such PL intensity and the spectral lines. It is also demonstrated that the lowest concentration to measure the XAFS is limited by the combination of the impurity atoms and the host materials. |
| キーワード(和) | XAFS / 半導体 / ミクロ構造 / 不純物 / 物性 |
| キーワード(英) | XAFS / semiconductors / microstructures / impurity / properties |
| 資料番号 | ED2000-162,CPM2000-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/10/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of semiconductor microstuctures and analysis of semiconductor properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | XAFS / XAFS |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体 / semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | ミクロ構造 / microstructures |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物 / impurity |
| キーワード(5)（和/英） | 物性 / properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Y. Takeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院 工学研究科 材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering Graduate School of Engineering Nagoya University |
| 発表年月日 | 2000/10/12 |
| 資料番号 | ED2000-162,CPM2000-101 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 369 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |