講演名 2000/8/17
ED2000-112 / SDM2000-94 / ICD2000-48 スキュー及びジッターを低減可能な、DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案
濱本 武史, 川崎 賢, 古谷 清広, 安田 憲一, 小西 康弘,
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抄録(和) DDR-SDRAMに搭載されたDLL回路の高性能化に関する検討を行った。DDR-SDRAMの高速化に対応するため、DLLのスキュー及びジッターを低減する技術、及び周波数特性を向上する技術を提案した。スキュー低減技術に関しては、クロック入力初段において発生するスキューをキャンセル出来る直接位相比較方式、及びウェハーテスト時に正確なスキュー調整を可能とするウェハレベルレプリカ調整技術を提案した。更にジッター低減技術に関しては、階層ディレイライン採用時にコース遅延にファイン遅延を自動的に合わせ込むファインディレイ正規化技術を、又クロック周波数の向上に対してはディレイラインの周波数特性を改善する技術を提案した。
抄録(英) This paper demonstrates a skew and a jitter suppressed delay locked loop(DLL) architecture used for high frequency DDR SDRAMs. Two novel replica adjusting techniques are introduced;1)a direct phase comparing architecture reduces a timing skew caused by clock input circuits, and 2)a wafer level replica adjusting technique enables a precise replica tuning at wafer test. Further, an improved delay line architecture is introduced;3)a novel delay line scheme improves its frequency characteristics, and 4)a fine delay regulating scheme suppresses a jitter caused by a hierarcy delay line architecture.
キーワード(和) DDR-SDRAM / DLL / スキュー / ジッター / ディレイライン / デューティー / レプリカ / ウェハテスト
キーワード(英) DDR-SDRAM / DLL / Skew / Jitter / Delay Line / Duty / Replica / Wafer Test
資料番号 ED2000-112,SDM2000-94,ICD2000-48
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2000/8/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ED2000-112 / SDM2000-94 / ICD2000-48 スキュー及びジッターを低減可能な、DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案
サブタイトル(和)
タイトル(英) ED2000-112 / SDM2000-94 / ICD2000-48 Skew and Jitter Suppressed DLL Architecture for Over 400 Mbps DDR SDRAMs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) DDR-SDRAM / DDR-SDRAM
キーワード(2)(和/英) DLL / DLL
キーワード(3)(和/英) スキュー / Skew
キーワード(4)(和/英) ジッター / Jitter
キーワード(5)(和/英) ディレイライン / Delay Line
キーワード(6)(和/英) デューティー / Duty
キーワード(7)(和/英) レプリカ / Replica
キーワード(8)(和/英) ウェハテスト / Wafer Test
第 1 著者 氏名(和/英) 濱本 武史 / Takeshi Hamamoto
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)ULSI開発センター
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 川崎 賢 / Satoshi Kawasaki
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)ULSI開発センター
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 古谷 清広 / Kiyohiro Furutani
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)ULSI開発センター
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp.
第 4 著者 氏名(和/英) 安田 憲一 / Kenichi Yasuda
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)ULSI開発センター
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp.
第 5 著者 氏名(和/英) 小西 康弘 / Yasuhiro Konishi
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)ULSI開発センター
ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp.
発表年月日 2000/8/17
資料番号 ED2000-112,SDM2000-94,ICD2000-48
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 265
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日