| 講演名 | 2000/5/12 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長 バラクリシュナン K., 飯田 晋, 小山 忠信, 熊川 征司, 早川 泰弘, |
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| 抄録(和) | さまざまな形状の(100)GaAs基板上にInxGa1-xAs(x=0.06)層を液相成長法により成長させ、それらの成長モホロジーを比較検討した。平坦基板上のInGaAs層はテント構造となった。円形の窓をあけた基板上には、内部がつまったピラミッド構造のInGaAsが成長した。しかし、溝を形成した基板を用いると、成長層は基板の溝側面から<111>方向に斜めに成長し、最終的に{111}面で囲まれた内部に空洞を有するピラミッドが形成した。 |
| 抄録(英) | Growth of In_xGa_<1-x>As(x=0.06)layers on various types of patterned(100)GaAs substrates by liquid phase epitaxy(LPE)has been investigated. Non-planar InGaAs layer having filled tent-like structure was grown on non-patterned substrate. When the InGaAs was grown on circular patterned substrate, a non-hollow pyramid structure was obtained. Perfect hollow pyramid structured InGaAs was found to be grown on trench-substrates of(100)GaAs. |
| キーワード(和) | 液相成長法 / インジウムガリウムヒ素 / (100)ガリウムヒ素基板 / ピラミッド構造 |
| キーワード(英) | LPE / InGaAs / (100)GaAs substrate / pyramid structure |
| 資料番号 | ED2000-43,CPM2000-28,SDM2000-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the LPE growth of InGaAs pyramidal layers on(100)GaAs substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 液相成長法 / LPE |
| キーワード(2)（和/英） | インジウムガリウムヒ素 / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | (100)ガリウムヒ素基板 / (100)GaAs substrate |
| キーワード(4)（和/英） | ピラミッド構造 / pyramid structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | バラクリシュナン K. / K. Balakrishnan |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯田 晋 / S. Iida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. Kumagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. Hayakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-43,CPM2000-28,SDM2000-43 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 58 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |