| 講演名 | 2000/5/12 InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | InAs量子ドットが埋め込まれた薄いAlGaAs障壁をもつGaAs / AlGaAs / GaAsトンネルダイオードを用いて、単一量子ドットを介した電子の共鳴トンネリングの顕微フォトルミネッセンス解析を行った。ダイオードに電圧を印加し、電子を共鳴トンネル注入することにより、量子ドットに起因する鋭い発光線が観測された。単一発光線スペクトルの電圧依存性を調べたところ、発光強度は3次元-0次元共鳴トンネリングにおける電流-電圧特性と同様な特性を示した。発光エネルギーは電圧の増加に伴いレッドシフトを示し、量子閉じ込めシュタルク効果の存在を示した。さらに、発光線幅は、電圧の増加に伴い増加するとともに、高い発光エネルギーをもつ発光線ほど広い線幅を持っていた。これらの結果は、計算した共鳴準位幅とよく一致した。発光線幅から、共鳴状態の寿命は2.4-27psと見積もられた。 |
| 抄録(英) | The resonant tunneling through single InAs quantum dots embedded in an n-GaAs / i-Al_<0.38>Ga_<0.62>As / n-GaAs diode has been studied by using microscopic photoluminescence spectroscopy. Many sharp luminescence lines which originated from single quantum dots were observed by injecting resonant electrons from the emitter to the dots. Bias dependence of a single luminescence line was investigated. The peak intensity showed triangular dependence which was similar to the current-voltage characteristics of electron resonant tunneling in 3D-0D structure. When the bias voltage was increased, the peak energy slightly shifted to a lower energy indicating the existence of Stark effect, and the linewidth slightly increased. The higher the luminescence energy was, the broader the linewidth was. This result agrees with the calculated resonant level width. The lifetime of resonant states was estimated to be 2.4-27 ps for luminescence linewidth of 250-22 μeV. |
| キーワード(和) | InAs / 量子ドット / 共鳴トンネル / フォトルミネッセンス |
| キーワード(英) | InAs / quantum dot / resonant tunneling / photoluminescence |
| 資料番号 | ED2000-40,CPM2000-25,SDM2000-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence spectroscopy of resonant tunneling through InAs self-assembled quantum dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | 共鳴トンネル / resonant tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子学専攻 Dept.of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子学専攻 Dept.of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子学専攻 Dept.of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子学専攻 Dept.of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-40,CPM2000-25,SDM2000-40 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 58 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |