| 講演名 | 2000/5/12 高温顕微鏡を用いたY_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長 森 徹, Aswal D.K., 小山 忠信, 熊川 征司, 早川 泰弘, |
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| 抄録(和) | 高温顕微鏡を利用したその場観察法により、2種類の希土類を含む酸化物超伝導体(1 / 6)Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x-(1 / 13)Ba_3Cu_<10>O_<13>の相図を作成した。さらに、横型電気炉を用いて自己フラックス法による単結晶成長実験を行った。Ndの割合が大きくなるほどY / Nd123がY / Nd211と液相になる温度が高くなること、徐冷速度が0.1℃ / hの場合板状の結晶が成長し、その組成比は仕込み組成比の大小関係と同じであること等が分かった。超伝導特性は、Yの割合が増加するにともに性能が向上した。 |
| 抄録(英) | The pseudo-binary Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x-Ba_3Cu_<10>O_<13>(y=0, 0.2, 0.5, 0.8, 1)phase diagram was determined using in situ high-temperature optical microscopy. The temperature of Y_yNd_<1-y>123+L→Y_yNd_<1-y>211+L became higher with increasing Nd. The growth of Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x single crystals has been carried out using self-flux Ba_3Cu_<10>O_<13> in alumina(Al_2O_3)crucible under a horizontal temperature gradient. Plate-like crystal were grown when a cooling rate was 0.1℃ / h. The ratios of Y / Nd in the crystals increased with the increase of the charged solute compositions. Onset of superconducting transition temperature became higher as the Y ratio increased. |
| キーワード(和) | 高温超伝導体 / Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x / 高温顕微鏡 / その場観察 / 単結晶 |
| キーワード(英) | High-temperature superconductor / Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x / high-temperature optical microscopy / in situ observation / single crystals |
| 資料番号 | ED2000-39,CPM2000-24,SDM2000-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温顕微鏡を用いたY_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pseudo-binary phase diagram and crystal growth of Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高温超伝導体 / High-temperature superconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x / Y_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x |
| キーワード(3)（和/英） | 高温顕微鏡 / high-temperature optical microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | その場観察 / in situ observation |
| キーワード(5)（和/英） | 単結晶 / single crystals |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 徹 / T. Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Aswal D.K. / D.K. Aswal |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. Kumagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. Hayakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-39,CPM2000-24,SDM2000-39 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 58 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |