| 講演名 | 2000/7/21 ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成 武山 真弓, 板井 順一, 野矢 厚, 橋詰 保, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | n-InPに対する高安定なオーミックコンタクトを実現するため、Cu-Zrアモルファス合金を適用し、その界面での拡散・反応の様態及び電気的特性を詳細に検討した。その結果、このアモルファス合金を適用することで、Cu固有の高い拡散性を十分に抑制でき、均一な反応層が得られることにより1×10^<-7>Ωcm^2という極めて低コンタクト抵抗のオーミックコンタクトが実現され、その特性は500℃RTA処理後においても十分に安定であったことから、Cu-Zrアモルファス合金は、n-InP上のオーミック電極として有用な材料の一つであることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | The electrical property as well as the interfacial reaction and/or diffusion have been investigated in the Cu-Zr/InP contact to realize the thermally-stable ohmic contact to n-type InP. The application of the Cu-Zr amorphous alloy brings about the formation of the uniform interlayer at the Cu-Zr/InP interface suppressing the Cu diffusion into the InP substrate after rapid thermal annealing(RTA), resulting in the realization of the low contact resistivity at this interface upon RTA at 500℃ for 20s. It is revealed that the Cu-Zr amorphous alloy is one of the excellent materials applicable as an ohmic contact to n-type InP. |
| キーワード(和) | 金属・半導体界面 / InP / オーミックコンタクト / 界面反応 / アモルファス合金 |
| キーワード(英) | metal-semiconductor interface / InP / ohmic contact / interfacial reaction / amorphous alloy |
| 資料番号 | ED2000-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/7/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of ohmic contact in Cu-Zr/n-InP system by rapid thermal annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属・半導体界面 / metal-semiconductor interface |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | オーミックコンタクト / ohmic contact |
| キーワード(4)（和/英） | 界面反応 / interfacial reaction |
| キーワード(5)（和/英） | アモルファス合金 / amorphous alloy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 板井 順一 / Junichi ITAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2000/7/21 |
| 資料番号 | ED2000-103 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |