| 講演名 | 2000/6/23 SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散 内田 秀雄, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | ボロン(B)の拡散分布を3種の極薄SOI基板とバルクシリコンとの間で比較を行った。用いたSOI基板は低ドーズSIMOXで内部熱酸化(ITOX)処理有と処理なしおよびUNIBOND法で作製したものである。Bの拡散は窒素雰囲気で900℃で10-20分行った。拡散源はスピンオンガラスを用い、表面濃度は固溶度付近に達するような高濃度のものを用いた。その結果拡散の遅れがSOI基板で見られ、SIMOX基板の方がUNIBOND基板に比べて顕著である。その理由としてはSOI基板では酸化膜界面での点欠陥の吸収が起こり、さらにSIMOXでは活性層中での点欠陥の再結合が大きいためと考えられる。 |
| 抄録(英) | Boron diffusion profiles in three kinds of silicon-on-insulator (SOI) structures with a very thin active layer were compared with those in bulk silicon. SOI structures used were low-dose SIMOX (separation by implanted oxygen) with ITOX (internal thermal oxidation), low-dose SIMOX without ITOX and UNIBOND. Boron diffusion was carried out at 900°C in N_2 ambient, using a spin-on-glass source which enables us to obtain a high surface concentration near solid solubility. The diffusion retardation compared with bulk Si appeared clearly in SIMOXs more than UNIBOND. The reason of this was that recombination velocity of interstitial silicon in the SIMOX is larger than that in the UNIBOND wafer. |
| キーワード(和) | SOI / SIMOX / UNIBOND / ボロン / 拡散 |
| キーワード(英) | SOI / SIMOX / UNIBOND / Boron / Diffusion |
| 資料番号 | ED2000-91,SDM2000-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-91 / SDM2000-91 Ultra shallow Boron diffusion in SIMOX and UNIBOND Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | SIMOX / SIMOX |
| キーワード(3)（和/英） | UNIBOND / UNIBOND |
| キーワード(4)（和/英） | ボロン / Boron |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散 / Diffusion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内田 秀雄 / Hideo Uchida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-91,SDM2000-91 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |