| 講演名 | 2000/6/23 SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ 神田 淳, 村口 正弘, |
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| 抄録(和) | SOI技術と高抵抗シリコン基板の組み合わせにより、携帯電話の無線周波数帯においてシリコンCMOS MMIC SPDTスイッチで始めて、GaAs MMICスイッチに匹敵する低損失、高アイソレーション特性を実現した。本回路技術は、従来の汎用LSI製造と同一プロセスで作製されており、大幅な低コストの可能性を有している。また将来的には、他のSi RF回路やベースバンド回路との1チップLSI化も期待できる。 |
| 抄録(英) | A CMOS single-pole-double-throw (SPDT) switch MMIC with 0.7-dB insertion loss and more than 30-dB isolation at 2 GHz is demonstrated using silicon-on-insulator (SOI) technology on a high-resistivity Si substrate. The performance is comparable to that of the commercially available GaAs SPDT switch, and the MMIC can be fabricated in the standard CMOS LSI process. |
| キーワード(和) | スイッチ / SOI / 高抵抗基板 / CMOS / 高周波 / 携帯電話 |
| キーワード(英) | Switch / SOI / High-Resistivity Substrate / CMOS / Microwave / Cellular |
| 資料番号 | ED2000-89,SDM2000-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-89 / SDM2000-89 A SiRF Switch MMIC for the Cellular Frequency Band Using SOI-CMOS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スイッチ / Switch |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | 高抵抗基板 / High-Resistivity Substrate |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波 / Microwave |
| キーワード(6)（和/英） | 携帯電話 / Cellular |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 神田 淳 / Atsushi Kanda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村口 正弘 / Masahiro Muraguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクス NTT Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-89,SDM2000-89 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |