講演名 | 2000/6/23 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響 平岡 靖史, 松本 聡, 酒井 達郎, |
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抄録(和) | SOIデバイスにおける寄生バイポーラ・トランジスタが高周波特性に与える影響について、シミュレーションを用いて検討した。回路シミュレーション用のデバイス・パラメータは2次元デバイス・シミュレーションから抽出した。また、デバイスシミュレーションにおける不純物濃度等のパラメータは、実デバイスの特性をもとに合わせ込みを行った。今回はトランジェント・シミュレーションとハーモニック・バランス・シミュレーションの2種類の回路シミュレーションを行った。その結果、通常のSOIデバイスでは寄生バイポーラ効果によってゲイン、電力付加効率等のRF-特性が劣化することを明らかにした。特に3次の相互変調歪で比較すると、寄生バイポーラ効果が強く現れているデバイスは寄生バイポーラ効果が抑圧されたデバイスに比べ、23dBc程度特性が劣化するという計算結果が得られた。 |
抄録(英) | We have studied the influence of a parasitic bipolar transistor on the high-frequency characteristics of an SOI power MOSFET. We carried out two types of numerical simulation based on experimentally obtained results : a transient simulation and a harmonic balance simulation. The results indicate that the parasitic bipolar effect degraded the high-frequency performance of the RF power MOSFET, for example, gain, power added efficiency, and intermodulation distortion. In particular, the third-order intermodulation distortion of the quasi-SOI device was about 23% better than that of the conventional SOI device under 2 GHz operation. |
キーワード(和) | SOI / RF / パワーMOSFET / 寄生バイポーラ効果 |
キーワード(英) | SOI / RF / Power MOSFET / Power amplifier and parasitic bipolar effect |
資料番号 | ED2000-88,SDM2000-88 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | ED2000-88 / SDM2000-88 The influence of parasitic bipolar transistor on high-frequency performance of thin-film SOI power MOSFETs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SOI / SOI |
キーワード(2)(和/英) | RF / RF |
キーワード(3)(和/英) | パワーMOSFET / Power MOSFET |
キーワード(4)(和/英) | 寄生バイポーラ効果 / Power amplifier and parasitic bipolar effect |
第 1 著者 氏名(和/英) | 平岡 靖史 / Yasushi Hiraoka |
第 1 著者 所属(和/英) | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
第 2 著者 氏名(和/英) | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
第 2 著者 所属(和/英) | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
第 3 著者 氏名(和/英) | 酒井 達郎 / Tatsuo Sakai |
第 3 著者 所属(和/英) | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
発表年月日 | 2000/6/23 |
資料番号 | ED2000-88,SDM2000-88 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 149 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |