| 講演名 | 2000/6/23 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET 松本 聡, 平岡 靖史, 酒井 達郎, |
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| 抄録(和) | 0.5μmルールCMOS/SOIプロセスを用いてSOIパワーMOSFETを試作し、そのDC特性とRF特性を評価した。試作したパワーMOSFETのDC特性として、耐圧14.5V、オン抵抗は4.3mΩ・mmが得られた。またRF特性はfT=14.7GHz, fmax=19GHz, また2GHzでの電力付加効率は64%であった。 |
| 抄録(英) | A state-of-the-art 0.5-μm-rule thin-film SOI power MOSFET was fabricated to evaluate its radio frequence. The fabricated device with channel length was 0.5 μm and drain offset length of 0.4 μm showed excellent performance. Its breakdown voltage was more than 10 V, which is sufficient for a lithium ion battery to be used as a power source. Its cut-off and maximum oscillation frequencyies were 14.7 and 19 GHz, respectively. Its power added efficiency at 2 GHz was 64%. |
| キーワード(和) | SOI / RF / パワーMOSFET / 電力付加効率 |
| キーワード(英) | SOI / RF / Power MOSFET / Power added efficiency |
| 資料番号 | ED2000-87,SDM2000-87 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-87 / SDM2000-87 A 0.5-μm-rule Thin-film SOI Power MOSFET for Radio-frequency applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | RF / RF |
| キーワード(3)（和/英） | パワーMOSFET / Power MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 電力付加効率 / Power added efficiency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平岡 靖史 / Yasushi Hiraoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 達郎 / Tatsuo Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-87,SDM2000-87 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |