| 講演名 | 2000/6/23 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像 吉本 昌広, 更家 淳司, |
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| 抄録(和) | 通常の光学系を用いた顕微ホトルミネセンス(PL)観測装置では、光プローブ顕微鏡に比べて分解能で劣るものの、高感度で良好なS/N比をもってPLを観測することができる。本研究では、大きな開口数をもつ高分解能対物レンズをクライオスタット内に装填した新しい顕微PL装置を開発し、波長488nmにおいて回折限界とほぼ等しい解像度0.3μmが得られていることを定量的に確認した。試料の最低到達温度は15Kであった。顕微PL像の例としてGaAs_<0.67>P_<0.33>の顕微PL像(波長666nm、解像度0.5μm)を示す。また、4H-SiCホモエピタキシャル層について、表面欠陥が励起子発光の強度に与える影響について述べる。 |
| 抄録(英) | A novel photoluminescence (PL) microscope using a conventional optical system has been developed to obtain monochromated PL mapping at a low temperature down to 15 K with a spatial resolution in sub-μm range. The objective and the cooled sample were put in the identical vacuum chamber in order to take thermal insulation between them. The spatial resolution of the microscope at a low temperature was confirmed to be almost equal to the theoretical limit expected from numerical aperture, i. e., 0.3 μm at a wavelength of 488 nm. A monochromated PL image at a wavelength of 666 nm for GaAs_<0.67>P_<0.33> epilayer on GaP was demonstrated with a spatial resolution of 0.5 μm at 20 K. The influence of a surface defect on an excitonic PL emission of 4H-SiC was discussed based on a PL image. |
| キーワード(和) | 顕微ホトルミネセンス / 極低温 / ディープサブミクロン解像度 / SiC / GaAsP |
| キーワード(英) | microscopic photoluminescence / cryogenic temperature / deep-submicron resolution / SiC / GaAsP |
| 資料番号 | ED2000-85,SDM2000-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-85 / SDM2000-85 Deep sub-μm Scale Photoluminescence Image of Wide Bandgap Materials by Cryogenic Scanning Microscope |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 顕微ホトルミネセンス / microscopic photoluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | 極低温 / cryogenic temperature |
| キーワード(3)（和/英） | ディープサブミクロン解像度 / deep-submicron resolution |
| キーワード(4)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsP / GaAsP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Dept. Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 更家 淳司 / Junji Saraie |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Dept. Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-85,SDM2000-85 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |