講演名 2000/6/23
ED2000-83 / SDM2000-83 1/f noise in Schottky barrier structure
,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英) We critically review and compare all the possible mechanisms for generation of low frequency noise in Schottky barrier structure, including mobility and diffusivity fluctuation, thermal activation and tunneling involving bulk traps and a new random walk model involving interface traps, and show how the noise measurement can be utilized to obtain useful information on bulk and/or interface traps and further diagnose the materials and certain process conditions for the fabrication of Schottky barrier structure.
キーワード(和)
キーワード(英) low frequency noise / Schottky barrier / thermal activation / tunneling / random walk
資料番号 ED2000-83,SDM2000-83
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2000/6/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 KOR
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) ED2000-83 / SDM2000-83 1/f noise in Schottky barrier structure
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / low frequency noise
第 1 著者 氏名(和/英) / J. I. Lee
第 1 著者 所属(和/英)
Photonics Research Center, KIST, Cheongryang : On leave at Basic S & T Program, KISTEP
発表年月日 2000/6/23
資料番号 ED2000-83,SDM2000-83
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 149
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日