| 講演名 | 2000/6/23 低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製 藤平 景子, 田村 聡之, 木本 恒暢, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | 横型コールドウォールCVDにより厚さ31μmの成長層を形成し、高耐圧SiCエピタキシャルPN接合ダイオードを作製した。n^-層はNドーピング、p層はAlドーピングにより形成した。作製したダイオードは、オン抵抗が4.6mΩcm^2と低い値を示し、耐圧は4.2kVを達成した。この値は現在用いられているSiのPINダイオードと同程度の耐圧で、オン抵抗が約10倍小さいという優れた特性を示している。また、ターンオフ時間が約0.35μsecであり、高速スイッチングが可能である。 |
| 抄録(英) | The 31 μm thick n^- and p-type epilayers were grown by horizontal cold-wall CVD with nitrogen and aluminum doping, respectively. The diode exhibited a very high breakdown voltage of 4.2 kV with a low on-resistance of 4.6mΩcm^2. This on-resistance is one-order-of-magnitude lower than that of a Si PIN diode with a similar breakdown voltage. The fabricated SiC PN diode showed fast switching with a turn-off time of 0.35μsec. |
| キーワード(和) | SiC / PN接合ダイオード / パワーデバイス / オン抵抗 |
| キーワード(英) | SiC / PN junction diode / Power device / On-resistance |
| 資料番号 | ED2000-81,SDM2000-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-81 / SDM2000-81 A 4 kV SiC Epitaxial PN Junction Diode with a Low On-resistance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | PN接合ダイオード / PN junction diode |
| キーワード(3)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(4)（和/英） | オン抵抗 / On-resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤平 景子 / K. Fujihira |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学 工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田村 聡之 / S. Tamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学 工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / T. Kimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学 工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学 工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-81,SDM2000-81 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |