| 講演名 | 2000/6/23 ED2000-80 / SDM2000-80 MOS Memory Using Si Nanocrystals Formed by Wet Etching of Poly-Silicon Along Grain Boundaries , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The nanocrystal memory is the most promising candidate of post giga-bit EEPROM since it has some good properties as follows : fast and low-voltage operation using direct tunneling mechanism due to thin gate dielectrics, good nonvolatility due to suppression of charge loss between dots as storage nodes, and simple structure of one transistor-one cell. So it is so important to form nanocrystals. In this paper, a new method to form nanocrystals using wet etching is proposed and characteristics of the memory using this method is analyzed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si / grain boundaries / wet etching / nanocrystal memory |
| 資料番号 | ED2000-80,SDM2000-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | KOR |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-80 / SDM2000-80 MOS Memory Using Si Nanocrystals Formed by Wet Etching of Poly-Silicon Along Grain Boundaries |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Seong-jong Yoo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of EECS, KAIST |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-80,SDM2000-80 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |