| 講演名 | 2000/6/23 エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性- 松尾 直人, 河本 直哉, 田口 亮平, 阿部 寿, 納田 朋幸, 浜田 弘喜, |
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| 抄録(和) | この論文では75mJ/cm^2から400mJ/cm^2のエネルギー密度のエキシマ・レーザ・アニールにより形成されたpoly-Si結晶粒の特性を調査し、エネルギー密度に依存した結晶成長機構の変化を議論する。250mJ/cm^2から3500mJ/cm^2の条件では、ディスク状結晶粒が観察される。ディスク状結晶の面積率のエネルギー密度、及び、ショット数依存性が調べられる。これらの結果から、ディスク状結晶粒が結晶成長機構のエネルギー密度に依存した変化において果たす役割が明らかにされる。 |
| 抄録(英) | This paper examines the characteristics of the poly-Si grains formed by ELA with the energy density from 75 mJ/cm^2 to 400 mJ/cm^2, and discusses the change of the crystal growth mechanism of the recrystallized poly-Si dependent on the energy density. For the energy density from 250 mJ/cm^2 to 350 mJ/cm^2, the disk-shaped grains are observed. The dependences of the area ratio of disk-shaped grain both on the energy density and on the shot number are examined. From these results, the role of the disk-shaped grains for the change of the crystal growth mechanism dependent on the energy density is clarified. |
| キーワード(和) | Poly-Si結晶粒 / ELA / ディスク状結晶粒 / 結晶成長機構 |
| キーワード(英) | Poly-Si grains / ELA / disk-shaped grains / crystal growth mechanism |
| 資料番号 | ED2000-79,SDM2000-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性- |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-79 / SDM2000-79 Crystal Growth of Low-Temperature Processed Poly-Si by Excimer Laser Annealing : Dependences of Poly-Si Grain on Energy Density and Shot Number |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Poly-Si結晶粒 / Poly-Si grains |
| キーワード(2)（和/英） | ELA / ELA |
| キーワード(3)（和/英） | ディスク状結晶粒 / disk-shaped grains |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶成長機構 / crystal growth mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / Naoya Kawamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田口 亮平 / Ryouhei Taguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阿部 寿 / Hisashi Abe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 納田 朋幸 / Tomoyuki Nouda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / Hiroki Hamada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-79,SDM2000-79 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |