| 講演名 | 2000/6/23 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性 浦岡 行治, 畑山 智亮, 冬木 隆, 川村 哲也, 土橋 友次, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 低温ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて、ダイナミックストレスに対する信頼性を評価し、劣化のメカニズムについて考察した。N型トランジスタのゲートにパルスを加えると、顕著なオン電流や電界移動度の低下が見られる。この劣化は、パルスの繰り返し周波数に正比例し、特にゲートパルスの立ち下がり時間に強く依存し、立ち下がりが急峻であるほど劣化が加速されることがわかった。また、エミッション顕微鏡による解析から、ストレス印加中に発光が観測された。これらの結果から、ゲートの立ち下がり時にホットエレクトロンが発生し、ポリシリコン内にエレクトロントラップを形成していることが推測される。また、LDD構造を採用することにより、信頼性が向上することを確認した。 |
| 抄録(英) | Reliability of low temperature poly-Si under dynamic stress was evaluated. Decrease of mobility and ON current was observed under the dynamic stress. We have found that the degradation depends strongly on falling time and number of repetition of pulse. With the decrease of falling time, degradation was accelerated. From the analysis of emission microscope, photon emission was observed under dynamic stress. Based on these results, degradation is considered to occur when the gate pulse falls. When gate pulse falls, hot electrons will be generated making electron traps in the poly-silicon. We have confirmed that the reliability is improved by adopting LDD structure. |
| キーワード(和) | 低温ポリシリコン / 信頼性 / ホットエレクトロン / システムオンパネル |
| キーワード(英) | Low Temperature Poly-Si / Reliability / Hot Electron / System On Panel |
| 資料番号 | ED2000-77,SDM2000-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-77 / SDM2000-77 Reliability of Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistors under Dynamic Stress |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温ポリシリコン / Low Temperature Poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | ホットエレクトロン / Hot Electron |
| キーワード(4)（和/英） | システムオンパネル / System On Panel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Y. Uraoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / T. Hatayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T. Fuyuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川村 哲也 / T. Kawamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 液晶事業部 LCD Division, Matsushita Electric Industrial Co. Ltd |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 土橋 友次 / Y. Tsuchihashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 液晶事業部 LCD Division, Matsushita Electric Industrial Co. Ltd |
| 発表年月日 | 2000/6/23 |
| 資料番号 | ED2000-77,SDM2000-77 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |