| 講演名 | 2000/6/22 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC 宮辻 和郎, 牧岡 敏史, 石田 秀俊, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | 位相シフトリソグラフィーによる0.2μmゲートMODFETとフリップチップ実装技術により挿入損失を極限的に低減したデジタル携帯電話用GaAsスイッチICについて報告する。スイッチICの挿入損失の主要な原因であるFETのオン抵抗低減を目的として位相シフトリソグラフィーによってゲート長をサブクオーターミクロンにまで微細化した。さらに従来のリードフレームとボンディングワイヤを用いた実装における寄生抵抗および寄生インダクタンスを除去するために、ACF(異方性導電フィルム)ボンディング法を用いたフリップチップCSP技術を新規に開発した。上記技術を用いて試作したスイッチICは1GHzにおいて0.1dBという低挿入損失特性を示した。 |
| 抄録(英) | An extremely low insertion loss GaAs switch IC for digital cellular phone such as GSM, PDC or TDMA is reported. In order to reduce the insertion loss of the GaAs switch IC, the on-resistance of the FET was successfully reduced by sub-quarter micron gate fabrication process using phase shift lithography technique. In addition to this, the parasitic resistance and inductance of the bonding wire for the conventional lead-frame packaging was eliminated by using newly developed flip-chip CSP technology which utilizes the ACF (Anisotoropic Conductive Film) bonding method., Fabricated switch IC shows extremely low insertion loss of 0.1dB at 1 GHz. |
| キーワード(和) | スイッチIC / 位相シフトリソグラフィー / フリップチップ実装 |
| キーワード(英) | Switch IC / Phase Shift Lithography / Flip Chip Bonding |
| 資料番号 | ED2000-73,SDM2000-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-73 / SDM2000-73 A Flip-Chip Packaged GaAs Switch IC Using 0.2μm-Gate MODFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スイッチIC / Switch IC |
| キーワード(2)（和/英） | 位相シフトリソグラフィー / Phase Shift Lithography |
| キーワード(3)（和/英） | フリップチップ実装 / Flip Chip Bonding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮辻 和郎 / Kazuo Miyatsuji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部 Discrete Division, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧岡 敏史 / Satoshi Makioka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / Daisuke Ueda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp. |
| 発表年月日 | 2000/6/22 |
| 資料番号 | ED2000-73,SDM2000-73 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 148 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |